Picosun - Atomic Layer Deposition
Home // About Us / Publications on Atomic Layer Deposition

Publications on Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (known as ALD, ALE, ALG, MLE or ML) has been applied for more than three decades for manufacturing of conformal inorganic material layers with thickness down to nanometer or sub-nanometer range. Here we have listed a selection of referred publications related to Atomic Layer Deposition and sequential surface reactions. The list covers Atomic Layer Deposition publications until the end of year 2004, and some publications from the beginning of year 2005 are included as well. The list is adapted from a very good ALD review: R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 97, 121301 (2005). Other highly recommended ALD review articles are references 732 and 1041 on the publications list below.

List of publications:

  1. A. A. Malygin, A. A. Malkov, and S. D. Dubrovenskii, in Adsorption on new and modified inorganic sorbents, edited by A. Dabrowski and V. A. Tertykh (Elsevier, Amsterdam, 1996), vol. 99 of Stud. Surf. Sci. Catal., pp. 213­236.
  2. A. A. Malygin, A. N. Volkova, S. I. Kol'tsov, and A. A. Aleskovskii, Zh. Obshch. Khim. 43, 1436 (1972) [J. Gen. Chem. USSR 43, 1426 (1973)].
  3. A. A. Malygin, A. N. Volkova, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Obshch. Khim. 42, 2373 (1972) [J. Gen. Chem. USSR 42, 2368 (1972)].
  4. A. A. Malygin, A. N. Volkova, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Obshch. Khim. 46, 2166 (1976) [J. Gen. Chem. USSR 46, 2085 (1976)].
  5. A. A. Malygin, Compos. Interfaces 5, 561 (1998).
  6. A. A. Malygin, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Ob- shch. Khim. 50, 2633 (1980) [J. Gen. Chem. USSR 50, 2121 (1980)].
  7. A. A. Malygin, V. F. Dergachev, and S. I. Kol'tsov, Zh. Prikl. Khim. 59, 430 (1986) [J. Appl. Chem. USSR 59, 392 (1986)].
  8. A. A. Malygin, Zh. Obshch. Khim. 72, 617 (2002) [Russ. J. Gen. Chem. 72, 575 (2002)].
  9. A. A. Malygin, Zh. Prikl. Khim. 69, 1585 (1996) [Russ. J. Appl. Chem. 69, 1419 (1996)].
  10. A. A. Seitmagzimov, V. N. Pak, and S. I. Kol'tsov, Zh. Prikl. Khim. 58, 92 (1985) [J. Appl. Chem. USSR 58, 85 (1985)].
  11. A. B. Zhidkov and E. P. Smirnov, Kinet. Katal. 29, 946 (1988) [Kinet. Catal. 29, 813 (1988)].
  12. A. C. Dillon, A. W. Ott, J. D. Way, and S. M. George, Surf. Sci. 322 , 230 (1995).
  13. A. C. Jones and P. R. Chalker, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, R80 (2003).
  14. A. C. Jones, H. C. Aspinall, P. R. Chalker, R. J. Potter, K. Kukli, A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Mater. Chem. 14, 3101 (2004).
  15. A. Delabie, R. L. Puurunen, B. Brijs, M. Caymax, T. Conard, B. Onsia, O. Richard, W. Vandervorst, C. Zhao, M. M. Viitanen, et al., J. Appl. Phys. (2005), in press.
  16. A. Deshpande, R. Inman, G. Jursich, and C. Takoudis, J. Vac. Sci. Technol., A 22, 2035 (2004).
  17. A. Dip, G. M. Eldallal, P. C. Colter, N. Hayafuji, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 62, 2378 (1993).
  18. A. Doi, Y. Aoyagi, and S. Namba, Appl. Phys. Lett. 49, 785 (1986).
  19. A. Estéve, M. Djafari Rouhani, L. Jeloaica, and D. Estéve, Comput. Mater. Sci. 27, 75 (2003).
  20. A. Gervasini, P. Carniti, J. Keränen, L. Niinistö, and A. Auroux, Catal. Today 96, 187 (2004).
  21. A. Hakuli and A. Kytökivi, Phys. Chem. Chem. Phys. 1, 1607 (1999).
  22. A. Hakuli, A. Kytökivi, and A. O. I. Krause, Appl. Catal., A 190 , 219 (2000).
  23. A. Hand, Semicon. Int. 26, 46 (2003).
  24. A. Heyman and C. B. Musgrave, J. Phys. Chem. B 108, 5718 (2004).
  25. A. Hunter and A. H. Kitai, J. Cryst. Growth 91, 111 (1988).
  26. A. Javey, H. Kim, M. Brink, Q. Wang, A. Ural, J. Guo, P. McIn- tyre, P. McEuen, M. Lundstrom, and H. J. Dai, Nat. Mater. 1, 241 (2002).
  27. A. Johansson, T. Törndahl, L. M. Ottosson, M. Boman, and J.- O. Carlsson, Mater. Sci. Eng., C 23, 823 (2003).
  28. A. Kosola, M. Putkonen, L.-S. Johansson, and L. Niinistö, Appl. Surf. Sci. 211, 102 (2003).
  29. A. Koukitu, A. Saegusa, M. Kitho, H. Ikeda, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L2165 (1992).
  30. A. Koukitu, H. Ikeda, H. Suzuki, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1712 (1991).
  31. A. Koukitu, H. Ikeda, H. Yasutake, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1847 (1991).
  32. A. Koukitu, H. Nakai, A. Saegusa, T. Suzuki, O. Nomura, and
  33. A. Koukitu, N. Takahashi, and H. Seki, J. Cryst. Growth 146, 467 (1995).
  34. A. Koukitu, N. Takahashi, and H. Seki, J. Cryst. Growth 163, 180 (1996).
  35. A. Koukitu, N. Takahashi, Y. Miura, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L613 (1994).
  36. A. Koukitu, T. Miyazawa, H. Ikeda, and H. Seki, J. Cryst. Growth 123, 95 (1992).
  37. A. Koukitu, Y. Kumagai, T. Taki, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 4980 (1999).
  38. A. Kytökivi, E.-L. Lakomaa, A. Root, H. Österholm, J.-P. Jacobs and H. H. Brongersma, Langmuir 13, 2717 (1997).
  39. A. Kytökivi, E.-L. Lakomaa, and A. Root, Langmuir 12, 4395 (1996).
  40. A. Kytökivi, J.-P. Jacobs, A. Hakuli, J. Meriläinen, and H. H. Brongersma, J. Catal. 162, 190 (1996).
  41. A. L. Egorov, Yu. K. Ezhovskii, S. I. Kol'tsov, and G. V. Ani- keev, Zh. Prikl. Khim. 57, 2593 (1984) [J. Appl. Chem. USSR 57 , 2395 (1984)].
  42. A. Ludviksson, D. W. Robinson, and J. W. Rogers, Jr., Thin Solid Films 289, 6 (1996).
  43. A. M. Lemonds, J. M. White, and J. G. Ekerdt, Surf. Sci. 538, 191 (2003).
  44. A. M. Molenbroek, S. Haukka, and B. S. Clausen, J. Phys. Chem. B 102, 10680 (1998).
  45. A. M. Shevjakov, G. N. Kuznetsova, and V. B. Aleskovskii, in Chemistry of high temperature materials. Proceedings of 2nd USSR conference on high temperature chemistry of oxides, November 26-29, 1965, Leningrad, USSR (Nauka, Leningrad, USSR, 1967), pp. 149­155, in Russian.
  46. A. M. Uusitalo, T. T. Pakkanen, M. Kr öger-Laukkanen, L. Ni- inistö, K. Hakala, S. Paavola, and B. L öfgren, J. Mol. Catal., A 160 , 343 (2000).
  47. A. Mahajan, J. Irby, D. Kinosky, R. Qian, S. Thomas, S. Baner- jee, A. Tasch, and T. Picraux, Thin Solid Films 225, 177 (1993).
  48. A. Martin Hoyas, J. Schuhmacher, D. Shamiryan, J. Waeterloos, W. Besling, J. P. Celis, and K. Maex, J. Appl. Phys. 95, 381 (2004).
  49. A. N. Volkova, A. A. Malygin, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Obshch. Khim. 43, 724 (1973) [J. Gen. Chem. USSR 43, 723 (1973)].
  50. A. N. Volkova, A. A. Malygin, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Obshch. Khim. 45, 3 (1975) [J. Gen. Chem. USSR 45, 1 (1975)].
  51. A. N. Volkova, A. A. Malygin, V. M. Smirnov, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Obshch. Khim. 42, 1431 (1972) [J. Gen. Chem. USSR 42, 1422 (1972)].
  52. A. Nakajima, T. Kidera, H. Ishii, and S. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 81, 2824 (2002).
  53. A. Nakajima, T. Yoshimoto, T. Kidera, and S. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 79, 665 (2001).
  54. A. Niskanen, A. Rahtu, T. Sajavaara, K. Arstila, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 152, G25 (2005).
  55. A. Ohtake, T. Hanada, K. Arai, T. Komura, S. Miwa, K. Kimura, T. Yasuda, C. Jin, and T. Yao, J. Cryst. Growth 201/202, 490 (1999).
  56. A. Ohtake, T. Hanada, T. Yasuda, K. Arai, and T. Yao, Phys. Rev. B 60, 8326 (1999).
  57. A. P. Nechiporenko, G. K. Shevchenko, and S. I. Kol'tsov, Zh. Prikl. Kim. 55, 1239 (1982) [J. Appl. Chem. USSR 55, 1133 (1982)].
  58. A. P. Nechiporenko, T. M. Sukhareva, A. A. Malygin, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Kim. 51, 2447 (1978) [J. Appl. Chem. USSR 51, 2333 (1978)].
  59. A. Paranjpe, S. Gopinath, T. Omstead, and R. Bubber, J. Elec- trochem. Soc. 148, G465 (2001).
  60. A. Rahtu and M. Ritala, Chem. Vap. Deposition 8, 21 (2002).
  61. A. Rahtu and M. Ritala, J. Mater. Chem. 12, 1484 (2002).
  62. A. Rahtu and M. Ritala, Langmuir 18, 10046 (2002).
  63. A. Rahtu, B. S. Lim, and R. Gordon, AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition "ALD 2003," San Jose, California, USA, August 4­6, 2003 (oral presentation).
  64. A. Rahtu, Doctoral thesis, University of Helsinki, Finland (2002).
  65. A. Rahtu, K. Kukli, and M. Ritala, Chem. Mater. 13, 817 (2001).
  66. A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Mater. 13, 1528 (2001).
  67. A. Rahtu, T. Alaranta, and M. Ritala, Langmuir 17, 6506 (2001).
  68. A. Rahtu, T. Hänninen, and M. Ritala, J. Phys. IV 11, Pr3/923 (2001).
  69. A. Rautiainen, M. Lindblad, L. B. Backman, and R. L. Puu- runen, Phys. Chem. Chem. Phys. 4, 2466 (2002).
  70. A. Rosental, A. Tarre, A. G. J. Sundqvist, A. Hårsta, A. Aidla, J. Aarik, V. Sammelselg, and T. Uustare, Sens. Actuators, B 93, 552 (2003).
  71. A. Rosental, A. Tarre, A. Gerst, T. Uustare, and V. Sammelselg, Sens. Actuators, B 77, 297 (2001).
  72. A. Rosental, A. Tarre, P. Adamson, A. Gerst, A. Kasikov, and A. Niilisk, Appl. Surf. Sci. 142, 204 (1999).
  73. A. Rosental, P. Adamson, A. Gerst, and A. Niilisk, Appl. Surf. Sci. 107, 178 (1996).
  74. A. Rosental, P. Adamson, A. Gerst, H. Koppel, and A. Tarre, Appl. Surf. Sci. 112, 82 (1997).
  75. A. Rugge, J. S. Becker, R. G. Gordon, and S. H. Tolbert, Nano Lett. 3, 1293 (2003).
  76. A. Salzer, Pure Appl. Chem. 71, 1557 (1999).
  77. A. Satta, A. Vantomme, J. Schuhmacher, C. M. Whelan, V. Sut- cliffe, and K. Maex, Appl. Phys. Lett. 84, 4571 (2004).
  78. A. Satta, J. Schuhmacher, C. M. Whelan, W. Vandervorst, S. H. Brongersma, G. P. Beyer, K. Maex, A. Vantomme, M. M. Viita- nen, H. H. Brongersma, et al., J. Appl. Phys. 92, 7641 (2002).
  79. A. Shimizu, S. Chaisitsak, T. Sugiyama, A. Yamada, and M. Konagai, Thin Solid Films 361/362, 193 (2000).
  80. A. Suisalu, J. Aarik, H. Mändar, and I. Sildos, Thin Solid Films 336 , 295 (1998).
  81. A. Szczerbakow, E. Dynowska, K. Swiatek, and M. Godlewski, J. Cryst. Growth 207, 148 (1999).
  82. A. Szczerbakow, E. Dynowska, M. Godlewski, and K. Swiatek, J. Cryst. Growth 183, 708 (1998).
  83. A. Szczerbakow, M. Godlewski, E. Dynowska, V. Yu. Ivanov, K. ´Swia¸tek, E. M. Goldys, and M. R. Phillips, Acta Phys. Pol., A 97, 579 (1998).
  84. A. Tarre, A. Rosental, A. Aidla, J. Aarik, J. Sundqvist, and A. Hårsta, Vacuum 67, 571 (2002).
  85. A. Tarre, A. Rosental, J. Sundqvist, A. Hårsta, T. Uustare, and V. Sammelselg, Surf. Sci. 532, 514 (2003).
  86. A. Tarre, A. Rosental, V. Sammelselg, and T. Uustare, Appl. Surf. Sci. 175/176, 111 (2001).
  87. A. Turkovi´c, Mater. Sci. Eng., B 75, 85 (2000).
  88. A. U. Mane and S. A. Shivashankar, Mater. Sci. Semicond. Process. 7, 343 (2004).
  89. A. Usui and H. Sunakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L212 (1986).
  90. A. Usui and H. Watanabe, Annu. Rev. Mater. Sci. 21, 185 (1991).
  91. A. Usui, H. Sunakawa, F. J. Stützler, and K. Ishida, Appl. Phys. Lett. 56, 289 (1990).
  92. A. Usui, Proc. IEEE 80, 1641 (1992).
  93. A. Usui, Thin Solid Films 225, 53 (1993).
  94. A. W. Apblett and A. R. Barron, Organometallics 9, 2137 (1990).
  95. A. W. Ott and R. P. H. Chang, Mater. Chem. Phys. 58, 132 (1999).
  96. A. W. Ott, J. M. Johnson, J. W. Klaus, and S. M. George, Appl. Surf. Sci. 112, 205 (1997).
  97. A. W. Ott, J. W. Klaus, J. M. Johnson, and S. M. George, Thin Solid Films 292, 135 (1997).
  98. A. W. Ott, J. W. Klaus, J. M. Johnson, S. M. George, K. C. McCarley, and J. D. Way, Chem. Mater. 9, 707 (1997).
  99. A. W. Ott, K. C. McCarley, J. W. Klaus, J. D. Way, and S. M. George, Appl. Surf. Sci. 107, 128 (1996).
  100. A. Watanabe, T. Isu, M. Hata, T. Kamijoh, and Y. Katayama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L1080 (1989).
  101. A. Watanabe, T. Kamijoh, M. Hata, T. Isu, and Y. Katayama, Vacuum 41, 965 (1990).
  102. A. Wójcik, K. Kopalko, M. Godlewski, E. Lusakowska, W. Paszkowicz, K. Dybko, J. Domagala, A. Szczerbakow, and E. Kami´nska, Acta Phys. Pol. A 105, 667 (2004).
  103. A. Yamada and M. Konagai, Solid State Phenom. 67/68, 237 (1999).
  104. A. Yamada, B. Sang, and M. Konagai, Appl. Surf. Sci. 112, 216 (1997).
  105. A. Yoshikawa, M. Kobayashi, and S. Tokita, Appl. Surf. Sci. 82/83 , 316 (1994).
  106. A. Yoshikawa, T. Okamoto, H. Yasuda, S. Yamaga, and H. Ka- sai, J. Cryst. Growth 101, 86 (1990).
  107. B. A. McCool and W. J. DeSisto, Chem. Vap. Deposition 10, 190 (2004).
  108. B. A. McCool and W. J. DeSisto, Ind. Eng. Chem. Res. 43, 2478 (2004).
  109. B. A. Morrow and A. H. Hardin, J. Phys. Chem. 83, 3135 (1979).
  110. B. Brijs, C. Huyghebaert, S. Nauwelaerts, M. Caymax, W. Van- dervorst, K. Nakajima, K. Kimura, A. Bergmaier, G. D öllinger, W. N. Lennard, et al., Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 190, 505 (2002).
  111. B. Daudin, S. Tatarenko, and D. Brun-Le Cunff, Phys. Rev. B 52 , 7822 (1995).
  112. B. J. Ninness, D. W. Bousfield, and C. P. Tripp, Colloids Surf., A 214, 195 (2003).
  113. B. Meester, L. Reijnen, A. Goossens, and J. Schoonman, J. Phys. IV 11, Pr3/1147 (2001).
  114. B. Mårlid, M. Ottosson, U. Pettersson, K. Larsson, and J.-O. Carlsson, Thin Solid Films 402, 167 (2002).
  115. B. S. Berland, I. P. Gartland, A. W. Ott, and S. M. George, Chem. Mater. 10, 3941 (1998).
  116. B. S. Lim, A. Rahtu, and R. G. Gordon, Nat. Mater. 2, 749 (2003).
  117. B. S. Lim, A. Rahtu, J.-S. Park, and R. G. Gordon, Inorg. Chem. 42 , 7951 (2003).
  118. B. S. Lim, A. Rahtu, P. de Rouffignac, and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 84, 3957 (2004).
  119. B. Sang and M. Konagai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L602 (1996).
  120. B. Sang, A. Yamada, and M. Konagai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1125 (1998).
  121. B. Sang, A. Yamada, and M. Konagai, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 49, 19 (1997).
  122. B. Sang, K. Dairiki, A. Yamada, and M. Konagai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 4983 (1999).
  123. B. T. McDermott, K. G. Reid, N. A. El-Masry, S. M. Bedair, W. M. Duncan, X. Yin, and F. H. Pollak, Appl. Phys. Lett. 56, 1172 (1990).
  124. B. T. McDermott, N. A. El-Masry, B. L. Jiang, F. Hyuga, S. M. Bedair, and W. M. Duncan, J. Cryst. Growth 107, 96 (1991).
  125. B. T. McDermott, N. A. El-Masry, M. A. Tischler, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 51, 1830 (1987).
  126. B. W. Gregory and J. L. Stickney, J. Electroanal. Chem. 300, 543 (1991).
  127. B. W. Sanders and A. Kitai, Chem. Mater. 4, 1005 (1992).
  128. B. Y. Maa and P. D. Dapkus, Appl. Phys. Lett. 58, 1762 (1991).
  129. B. Y. Maa and P. D. Dapkus, Appl. Phys. Lett. 58, 2261 (1991).
  130. B. Y. Maa and P. D. Dapkus, J. Electron. Mater. 19, 289 (1990).
  131. B. Y. Maa and P. D. Dapkus, J. Electron. Mater. 20, 589 (1991).
  132. B. Y. Maa and P. D. Dapkus, Thin Solid Films 225, 12 (1993).
  133. B. Y. Maa, P. D. Dapkus, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 62, 2551 (1993).
  134. C. A. Tran, R. A. Masut, J. L. Brebner, and M. Jouanne, J. Appl. Phys. 75, 2398 (1994).
  135. C. A. Tran, R. A. Masut, J. L. Brebner, and R. Leonelli, Appl. Phys. Lett. 62, 2375 (1993).
  136. C. A. Tran, R. A. Masut, J. L. Brebner, M. Jouanne, L. Salamanca-Riba, C. C. Shen, B. Sieber, and A. Miri, J. Cryst. Growth 145, 332 (1994).
  137. C. A. Tran, R. Ares, S. P. Watkins, G. Soerensen, and Y. Lacroix, J. Electron. Mat. 24, 1597 (1995).
  138. C. A. Wang and D. M. Tracy, J. Electron. Mater. 23, 185 (1994).
  139. C. Adelmann, E. Martinez-Guerrero, J. Barjon, J. Brault, L. S. Dang, H. Mariette, G. Mula, and B. Daudin, Phys. Status Solidi A 188, 673 (2001).
  140. C. Adelmann, J. Brault, J.-L. Rouvière, H. Mariette, G. Mula, and B. Daudin, J. Appl. Phys. 91, 5498 (2002).
  141. C. D. Lee, B. H. Lim, C. Lim, H. L. Park, C. H. Chung, and S. K. Chang, J. Cryst. Growth 117, 148 (1992).
  142. C. D. Lee, B. K. Kim, J. W. Kim, H. L. Park, C. H. Chung, S. K. Chang, J. I. Lee, and S. K. Noh, J. Cryst. Growth 138, 136 (1994).
  143. C. D. Lee, B. K. Kim, J. W. Kim, S. K. Chang, and S. H. Suh, J. Appl. Phys. 76, 928 (1994).
  144. C. D. Lee, S. I. Min, and S. K. Chang, J. Cryst. Growth 159, 108 (1996).
  145. C. D. Lee, S. I. Min, and S. K. Chang, J. Korean Phys. Soc. 28, S136 (1995).
  146. C. Dücsö, N. Q. Khanh, Z. Horváth, I. Bársony, M. Utriainen, S. Lehto, M. Nieminen, and L. Niinistö, J. Electrochem. Soc. 143 , 683 (1996).
  147. C. H. Ahn, S. G. Cho, H. J. Lee, K. H. Park, and S. H. Jeong, Met. Mater. Int. 7, 621 (2001).
  148. C. H. L. Goodman and M. V. Pessa, J. Appl. Phys. 60, R65 (1986).
  149. C. H. Liu and R. P. H. Chang, J. Chem. Phys. 116, 8139 (2002).
  150. C. H. Liu, M. Yan, X. Liu, E. Seelig, and R. P. H. Chang, Chem. Phys. Lett. 355, 43 (2002).
  151. C. H. Liu, M. Yokoyama, and Y. K. Su, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 5416 (1996).
  152. C. H. Liu, M. Yokoyama, Y. K. Su, and N. C. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 2749 (1996).
  153. C. Lee, C. S. Hwang, and H. J. Kim, Integr. Ferroelectr. 67, 49 (2004).
  154. C. Lee, J. Choi, M. Cho, J. Park, C. S. Hwang, H. J. Kim, and J. Jeong, J. Vac. Sci. Technol., B 22, 1838 (2004).
  155. C. Mui and C. B. Musgrave, J. Phys. Chem. B 108, 15150 (2004).
  156. C. Mui, Y. Widjaja, J. K. Kang, and C. B. Musgrave, Surf. Sci. 557 , 159 (2004).
  157. C. Musgrave, AVS Topical Conference on Atomic Layer De- position "ALD 2003," San Jose, California, USA, August 4­6, 2003 (oral presentation).
  158. C. Sasaoka, M. Yoshida, and A. Usui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L490 (1988).
  159. C. Sasaoka, Y. Kato, and A. Usui, J. Cryst. Growth 115, 94 (1991).
  160. C. Sasaoka, Y. Kato, and A. Usui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1756 (1991).
  161. C. Soto and W. T. Tysoe, J. Vac. Sci. Technol., A 9, 2686 (1991).
  162. C. Soto, R. Wu, D. W. Bennett, and W. T. Tysoe, Chem. Mater. 6 , 1705 (1994).
  163. C. T. Hsu, Mater. Chem. Phys. 58, 6 (1999).
  164. C. T. Hsu, Thin Solid Films 335, 284 (1998).
  165. C. Wiemer, S. Ferrari, M. Fanciulli, G. Pavia, and L. Lutterotti, Thin Solid Films 450, 134 (2004).
  166. C. Zhao, B. Brijs, F. Dortu, S. De Gendt, M. Caymax, M. Heyns, W. Besling, and J. W. Maes, in Analytical and Di- agnostic Techniques for Semiconductor Materials, Devices and Processes, edited by B. O. Kolbesen, C. L. Claeys, P. Stallhofer, and F. Tardif (Electrochemical Society, Pennington, New Jer- sey, USA, 2003), vol. PV 2003-3 of Electrochem. Soc. Proc., pp. 243­250.
  167. C.-T. Hsu, J. Cryst. Growth 193, 33 (1998).
  168. C.-T. Hsu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 4476 (1996).
  169. C.-T. Hsu, M. Yokoyama, and Y. K. Su, Mater. Chem. Phys. 51, 102 (1997).
  170. C.-T. Hsu, Mater. Chem. Phys. 52, 240 (1998).
  171. Carlsson, J. Cryst. Growth 273, 510 (2004).
  172. D. Bertone, J. Electron. Mater. 21, 265 (1992).
  173. D. C. Bertolet and J. W. Rogers, Jr., Chem. Mater. 5, 391 (1993).
  174. D. D. Koleske and S. M. Gates, Appl. Phys. Lett. 64, 884 (1994).
  175. D. D. Koleske and S. M. Gates, Appl. Surf. Sci. 82/83, 344 (1994).
  176. D. D. Koleske and S. M. Gates, J. Appl. Phys. 76, 1615 (1994).
  177. D. D. Koleske, S. M. Gates, and D. B. Beach, J. Appl. Phys. 72, 4073 (1992).
  178. D. E. Aspnes, I. Kamiya, and R. Bhat, J. Vac. Sci. Technol., B 10 , 1725 (1992).
  179. D. E. Aspnes, I. Kamiya, H. Tanaka, R. Bhat, L. T. Florez, J. P. Harbison, W. E. Quinn, M. Tamargo, S. Gregory, M. A. A. Pu- densi, et al., Thin Solid Films 225, 26 (1993).
  180. D. G. Patrikarakos, N. Shukla, and M. E. Pemble, J. Cryst. Growth 170, 215 (1997).
  181. D. H. Everett, Pure Appl. Chem. 31, 579 (1972), web version http://www.iupac.org/reports/2001/colloid 2001/- manual_of_s_and_t.pdf.
  182. D. H. Triyoso, R. I. Hegde, J. Grant, P. Fejes, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, D. Werho, R. Rai, L. B. La, et al., J. Vac. Sci. Tech- nol., B 22, 2121 (2004).
  183. D. Hausmann, J. Becker, S. L. Wang, and R. G. Gordon, Sci- ence 298, 402 (2002).
  184. D. Jeong, J. Lee, and J. Kim, Integr. Ferroelectr. 67, 41 (2004).
  185. D. Jeong, J. Lee, H. Shin, J. Lee, J. Kim, and M. Sung, J. Korean Phys. Soc. 45, 1249 (2004).
  186. D. Jung and S. M. Bedair, J. Mater. Res. 9, 3022 (1994).
  187. D. K. Jeong, N. H. Park, S. H. Jung, W. G. Jung, H. Shin, J. G. Lee, and J. Y. Kim, Mater. Sci. Forum 449-452, 1165 (2004).
  188. D. Lin, T. Miller, and T. Chiang, Phys. Rev. B 47, 6543 (1993).
  189. D. Lubben, R. Tsu, T. R. Bramblett, and J. E. Greene, J. Vac. Sci. Technol., A 9, 3003 (1991).
  190. D. M. Hausmann and R. G. Gordon, J. Cryst. Growth 249, 251 (2003).
  191. D. M. Hausmann, E. Kim, J. Becker, and R. G. Gordon, Chem. Mater. 14, 4350 (2002).
  192. D. M. Hausmann, P. de Rouffignac, A. Smith, R. Gordon, and D. Monsma, Thin Solid Films 443, 1 (2003).
  193. D. P. Mikhaevich and Yu. K. Ezhovskii, Zh. Prikl. Khim. 76, 1238 (2003) [Russ. J. Appl. Chem. 76, 1197 (2003)].
  194. D. R. G. Mitchell, D. J. Attard, and G. Triani, Thin Solid Films 441 , 85 (2003).
  195. D. R. G. Mitchell, D. J. Attard, K. S. Finnie, G. T. C. J. Barbé, C. Depagne, and J. R. Bartlett, Appl. Surf. Sci. (2005), in press.
  196. D. Riihelä, M. Ritala, R. Matero, and M. Leskelä, Thin Solid Films 289, 250 (1996).
  197. D. Riihelä, M. Ritala, R. Matero, M. Leskelä, J. Jokinen, and P. Haussalo, Chem. Vap. Deposition 2, 277 (1996).
  198. D. Shamiryan, Doctoral thesis, Katholieke Universiteit Leuven, Belgium (2004).
  199. D. Triyoso, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, N. V. Edwards, R. Gre- gory, D. Werho, J. Kulik, G. Tam, E. Irwin, et al., J. Elec- trochem. Soc. 151, F220 (2004).
  200. D. Wang, Y.-L. Chang, Q. Wang, J. Cao, D. B. Farmer, R. G. Gordon, and H. Dai, J. Am. Chem. Soc. 126, 11602 (2004).
  201. D. Wu, J. Lu, E. Vainonen-Ahlgren, E. Tois, M. Tuominen, M. Östling, and S.-L. Zhang, Solid-State Electron. 49, 193 (2005).
  202. D.-H. Kim, Y. J. Kim, J.-H. Park, and J. H. Kim, Mater. Sci. Eng. C 24, 289 (2004).
  203. D.-H. Kim, Y. J. Kim, Y. S. Song, B.-T. Lee, J. H. Kim, S. Suh, and R. Gordon, J. Electrochem. Soc. 150, C740 (2003).
  204. D.-J. Kim, Y.-B. Jung, M.-B. Lee, Y.-H. Lee, J.-H. Lee, and J.-H. Lee, Thin Solid Films 372, 276 (2000).
  205. D.-S. Kil, J.-M. Lee, and J.-S. Roh, Chem. Vap. Deposition 8, 195 (2002).
  206. D.-S. Lin, J.-L. Wu, S.-Y. Pan, and T.-C. Chiang, Phys. Rev. Lett. 90, 046102 (2003).
  207. E. Arès, S. P. Watkins, P. Yeo, G. A. Horley, P. O'Brien, and A. C. Jones, J. Appl. Phys. 83, 3390 (1998).
  208. E. B. Yousfi, B. Weinberger, F. Donsanti, P. Cowache, and D. Lincot, Thin Solid Films 387, 29 (2001).
  209. E. B. Yousfi, J. Fouache, and D. Lincot, Appl. Surf. Sci. 153, 223 (2000).
  210. E. B. Yousfi, T. Asikainen, V. Pietu, P. Cowache, M. Powalla, and D. Lincot, Thin Solid Films 361/362, 183 (2000).
  211. E. Bonera, G. Scarel, and M. Fanciulli, J. Non-Cryst. Solids 322 , 105 (2003).
  212. E. Colas, R. Bhat, B. J. Skromme, and G. C. Nihous, Appl. Phys. Lett. 55, 2769 (1989).
  213. E. Graugnard, J. S. King, D. Heineman, and C. J. Summers, AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition "ALD 2004," Helsinki, Finland, August 16­18, 2004 (oral presenta- tion).
  214. E. Guziewicz, M. Godlewski, K. Kopalko, E. Lusakowska, E. Dynowska, M. Guziewicz, M. M. Godlewski, M. Phillips, Thin Solid Films 446, 172 (2004).
  215. E. Hasunuma, S. Sugahara, S. Hoshino, S. Imai, K. Ikeda, and M. Matsumura, J. Vac. Sci. Technol., A 16, 679 (1998).
  216. E. Kurtz, H. D. Jung, T. Hanada, Z. Zhu, T. Sekiguchi, and T. Yao, J. Cryst. Growth 184/185, 242 (1998).
  217. E. Kurtz, T. Sekiguchi, Z. Zhu, T. Yao, J. X. Shen, Y. Oka, M. Y. Shen, and T. Goto, Superlattices Microstruct. 25, 119 (1999).
  218. E. L. Piner, M. K. Behbehani, N. A. El-Masry, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 70 , 461 (1997).
  219. E. M. Larramendi, E. López-Luna, O. De Melo, and I. Hernández-Calderón, Surf. Rev. Lett. 9, 1725 (2002).
  220. E. M. Larramendi, E. Purón, L. C. Hernández, M. Sánchez, S. De Roux, O. de Melo, G. Romero-Paredes, R. Pe ~na-Sierra, and M. Tamura, J. Cryst. Growth 223, 447 (2001).
  221. E. M. Larramendi, O. de Melo, M. Hernández Vélez, and M. C. Tamargo, J. Appl. Phys. 96, 7164 (2004).
  222. E. Nykänen, J. Laine-Ylijoki, P. Soininen, L. Niinistö, M. Leskelä, and L. G. Hubert-Pfalzgraf, J. Mater. Chem. 4, 1409 (1994).
  223. E. P. Gusev, C. Cabral, Jr., M. Copel, C. D'Emic, and M. Gri- belyuk, Microelectron. Eng. 69, 145 (2003).
  224. E. P. Gusev, E. Cartier, D. A. Buchanan, M. Gribelyuk, M. Copel, H. Okorn-Schmidt, and C. D'Emic, Microelectron. Eng. 59, 341 (2001).
  225. E. P. Gusev, H. Shang, M. Copel, M. Gribelyuk, C. D'Emic, P. Kozlowski, and T. Zabel, Appl. Phys. Lett. 85, 2334 (2004).
  226. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
  227. E. Sadayuki, S. Imai, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 6166 (1996).
  228. E.-L. Lakomaa, A. Root, and T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 107, 107 (1996).
  229. E.-L. Lakomaa, Appl. Surf. Sci. 75, 185 (1994).
  230. E.-L. Lakomaa, S. Haukka, and T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 60/61 , 742 (1992).
  231. F. A. Cotton and G. Wilkinson, Basic Inorganic Chemistry (John Wiley & Sons, New York, 1976), p. 88.
  232. F. G. McIntosh, E. L. Piner, J. C. Roberts, M. K. Behbehani, M. E. Aumer, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Surf. Sci. 112, 98 (1997).
  233. F. Hauzenberger, W. Faschinger, P. Juza, A. Pesek, K. Lischka, and H. Sitter, Thin Solid Films 225, 265 (1993).
  234. F. Hirose, M. Suemitsu, and N. Miyamoto, Appl. Surf. Sci. 60/61 , 592 (1992).
  235. F. Kany, J. M. Hartmann, H. Ulmer-Tuffigo, and H. Mariette, Superlattices Microstruct. 23, 1359 (1998).
  236. G. D. Wilk and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett. 83, 3984 (2003).
  237. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89 , 5243 (2001).
  238. G. E. Rodgers, Introduction to coordination, solid state, and de- scriptive inorganic chemistry (McGraw-Hill, Singapore, 1994).
  239. G. Eres and J. W. Sharp, J. Appl. Phys. 74, 7241 (1993).
  240. G. Eres, Appl. Phys. Lett. 67, 1727 (1995).
  241. G. N. Kuznetsova, T. V. Shakina, A. A. Malygin, and S. I. Kol'tsov, Kolloidn. Zh. 45, 574 (1983) [Colloid J. USSR 45, 503 (1983)].
  242. G. Oya and Y. Sawada, J. Cryst. Growth 99, 572 (1990).
  243. G. Oya, M. Yoshida, and Y. Sawada, Appl. Phys. Lett. 51, 1143 (1987).
  244. G. S. Higashi and C. G. Fleming, Appl. Phys. Lett. 55, 1963 (1989).
  245. G. S. Higashi and L. J. Rothberg, J. Vac. Sci. Tech., B 3, 1460 (1985).
  246. G. S. Lee, P. E. Thompson, J. L. Davis, J. P. Omaggio, and W. A. Schmidt, Solid-State Electron. 36, 387 (1993).
  247. G. Scarel, E. Bonera, C. Wiemer, G. Tallarida, S. Spiga, M. Fan- ciulli, I. L. Fedushkin, H. Schumann, Yu. Lebedinskii, and A. Zenkevich, Appl. Phys. Lett. 85, 630 (2004).
  248. G. Scarel, S. Ferrari, S. Spiga, C. Wiemer, G. Tallarida, and M. Fanciulli, J. Vac. Sci. Technol., A 21, 1359 (2003).
  249. G. Scarel, S. Spiga, C. Wiemer, G. Tallarida, S. Ferrari, and M. Fanciulli, Mater. Sci. Eng. B 109, 11 (2004).
  250. G. Stuyven, P. De Visschere, A. Hikavyy, and K. Neyts, J. Cryst. Growth 234, 690 (2002).
  251. G. V. Anikeev, Yu. K. Ezhovskii, and S. I. Kol'tsov, Neorg. Mater. 24, 619 (1988) [Inorg. Mater. 24, 514 (1988)].
  252. G. V. Sveshnikova, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 43, 1150 (1970) [J. Appl. Chem. USSR 43, 1155 (1970)].
  253. G. V. Sveshnikova, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 43, 430 (1970) [J. Appl. Chem. USSR 43, 432 (1970)].
  254. H. Akazawa and Y. Utsumi, J. Appl. Phys. 78, 2725 (1995).
  255. H. Akazawa, Appl. Surf. Sci. 82/83, 394 (1994).
  256. H. Akazawa, J. Appl. Phys. 81, 3320 (1997).
  257. H. Akazawa, J. Cryst. Growth 173, 343 (1997).
  258. H. Akazawa, Phys. Rev. B 54, 10917 (1996).
  259. H. Akazawa, Y. Utsumi, T. Urisu, and M. Nagase, Phys. Rev. B 47 , 15946 (1993).
  260. H. Akinaga and K. Tanaka, Appl. Surf. Sci. 82/83, 298 (1994).
  261. H. B. Park, M. Cho, J. Park, S. W. Lee, C. S. Hwang, J.-P. Kim, J.-H. Lee, N.-I. Lee, H.-K. Kang, J.-C. Lee, et al., J. Appl. Phys. 94 , 3641 (2003).
  262. H. Bender, T. Conard, O. Richard, B. Brijs, J. Pétry, W. Van- dervorst, C. Defranoux, P. Boher, N. Rochat, C. Wyon, et al., Mater. Sci. Eng., B 109, 60 (2004).
  263. H. Döring, K. Hashimoto, and A. Fujushima, Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem 96, 620 (1992).
  264. H. Fujiwara, H. Kiryu, and I. Shimizu, J. Appl. Phys. 77, 3927 (1995).
  265. H. Goto, K. Shibahara, and S. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 68, 3257 (1996).
  266. H. Ishii, A. Nakajima, and S. Yokoyama, J. Appl. Phys. 95, 536 (2004).
  267. H. Isshiki, Y. Aoyagi, and T. Sugano, Microelectron. Eng. 43/44 , 301 (1998).
  268. H. Isshiki, Y. Aoyagi, T. Sugano, S. Iwai, and T. Meguro, Appl. Phys. Lett. 63, 1528 (1993).
  269. H. Isshiki, Y. Aoyagi, T. Sugano, S. Iwai, and T. Meguro, Appl. Surf. Sci. 82/83, 57 (1994).
  270. H. K. Kim, J. Y. Kim, J. Y. Park, Y. Kim, Y. D. Kim, H. Jeon, and W. M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 41, 739 (2002).
  271. H. Kattelus, J. Ahopelto, and I. Suni, Acta Polytech. Scand., Electr. Eng. Ser. 64, 155 (1989).
  272. H. Kattelus, M. Ylilammi, J. Saarilahti, J. Antson, and S. Lind- fors, Thin Solid Films 225, 296 (1993).
  273. H. Kattelus, M. Ylilammi, J. Salmi, T. Ranta-Aho, E. Nykänen, and I. Suni, in Amorphous Insulating Thin Films, edited by J. Kanicki, W. L. Warren, R. A. B. Devine, and M. Matsumura (Materials Research Society, Warrendale, USA, 1993), vol. 284 of Mater. Res. Soc. Symp. Proc., pp. 511­516.
  274. H. Kim and S. M. Rossnagel, J. Vac. Sci. Technol., A 20, 802 (2002).
  275. H. Kim and S. M. Rossnagel, Thin Solid Films 441, 331 (2003).
  276. H. Kim, A. J. Kellock, and S. M. Rossnagel, J. Appl. Phys. 92, 7080 (2002).
  277. H. Kim, C. Lavoie, M. Copel, V. Narayanan, D.-G. Park, and S. M. Rossnagel, J. Appl. Phys. 95, 5848 (2004).
  278. H. Kim, C. O. Chui, K. C. Saraswat, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 83, 2647 (2003).
  279. H. Kim, J. C. Cabral, C. Lavoie, and S. M. Rossnagel, J. Vac. Sci. Technol., B 20, 1321 (2002).
  280. H. Kim, J. Vac. Sci. Technol., B 21, 2231 (2003).
  281. H. Kim, P. C. McIntyre, C. O. Chui, K. C. Saraswat, and M.-H. Cho, Appl. Phys. Lett. 85, 2902 (2004).
  282. H. Knözinger and P. Ratnasamy, Catal. Rev.--Sci. Eng. 17, 31 (1978).
  283. H. Kumagai and K. Toyoda, Appl. Surf. Sci. 82/83, 481 (1994).
  284. H. Kumagai, K. Toyoda, K. Kobayashi, M. Obara, and Y. Iimura, Appl. Phys. Lett. 70, 2338 (1997).
  285. H. Kumagai, K. Toyoda, M. Matsumoto, and M. Obara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 6137 (1993).
  286. H. Kumagai, M. Matsumoto, and Y. Kawamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 7086 (1994).
  287. H. Kumagai, M. Matsumoto, K. Toyoda, M. Obara, and M. Suzuki, Thin Solid Films 263, 47 (1995).
  288. H. Liu and J. W. Rogers, Jr., J. Vac. Sci. Technol., A 17, 325 (1999).
  289. H. Liu, D. C. Bertolet, and J. W. Rogers, Jr., Surf. Sci. 320, 145 (1994).
  290. H. Liu, D. C. Bertolet, and J. W. Rogers, Jr., Surf. Sci. 340, 88 (1995).
  291. H. Liu, P. A. Zawadzki, and P. E. Norris, Thin Solid Films 225, 105 (1993).
  292. H. Lüth, Surfaces and Interfaces of Solids (Springer-Verlag, Berlin, 1993), 2nd ed.
  293. H. Mariette, L. Marsal, L. Besombes, F. Tinjod, B. Gilles, K. Kheng, and J. L. Rouvière, J. Cryst. Growth 237/239, 227 (2002).
  294. H. Mariette, M. Charleux, J. M. Hartmann, F. Kany, D. Martrou, L. Marsal, N. Magnèa, and J. L. Rouviére, Microelectron. J. 30, 329 (1999).
  295. H. Mölsa, L. Niinistö, and M. Utriainen, Adv. Mater. Opt. Elec- tron. 4, 389 (1994).
  296. H. Nagasawa and Y. Yamaguchi, Appl. Surf. Sci. 82/83, 405 (1994).
  297. H. Nagasawa and Y. Yamaguchi, Thin Solid Films 225, 230 (1993).
  298. H. Nohira, W. Tsai, W. Besling, E. Young, J. Petry, T. Conard, W. Vandervorst, S. De Gendt, M. Heyns, J. Maes, et al., J. Non- Cryst. Solids 303, 83 (2002).
  299. H. Ohno, S. Ohtsuka, H. Ishii, Y. Matsubara, and H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 54, 2000 (1989).
  300. H. S. Chang, S.-K. Baek, H. Park, H. Hwang, J. H. Oh, W. S. Shin, J. H. Yeo, K. H. Hwang, S. W. Nam, H. D. Lee, et al., Electrochem. Solid-State Lett. 7, F42 (2004).
  301. H. S. Fogler, Elements of chemical reaction engineering (Pren- tice Hall, Upper Saddle River, New Jersey, USA, 1992), 2nd ed.
  302. H. S. Lee, H. L. Park, and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 85, 5598 (2004).
  303. H. S. Sim, J. H. Park, and Y. T. Kim, Phys. Status Solidi A 201, R92 (2004).
  304. H. S. Sim, S.-I. Kim, and Y. T. Kim, J. Vac. Sci. Technol., B 21, 1411 (2003).
  305. H. S. Sim, S.-I. Kim, H. Jeon, and Y. T. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 6359 (2003).
  306. H. Seim, H. Mölsä, M. Nieminen, H. Fjellvåg, and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 7, 449 (1997).
  307. H. Seim, M. Nieminen, L. Niinistö, H. Fjellvåg, and L.-S. Jo- hansson, Appl. Surf. Sci. 112, 243 (1997).
  308. H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L744 (1988).
  309. H. Shin, D.-K. Jeong, J. Lee, M. M. Sung, and J. Kim, Adv. Mater. 16, 1197 (2004).
  310. H. Siimon and J. Aarik, J. Phys. D: Appl. Phys. 30, 1725 (1997).
  311. H. Siimon and J. Aarik, J. Phys. IV France 5, C5/245 (1995).
  312. H. Siimon and J. Aarik, J. Phys. IV France 5, C5/277 (1995).
  313. H. Siimon, J. Aarik, and T. Uustare, in Proceedings of the four- teenth international conference of Chemical Vapor Deposition and EUROCVD-11, edited by M. D. Allendorf and C. Bernard (Electrochemical Society, Pennington, New Jersey USA, 1997), vol. 97-25 of Electrochem. Soc. Proceedings, pp. 131­138.
  314. H. Sitter and W. Faschinger, Adv. Solid State Phys. (Festkörper- probleme) 30, 219 (1990).
  315. H. Sitter and W. Faschinger, Thin Solid Films 225, 250 (1993).
  316. H. Tsuchiya, M. Akamatsu, M. Ishida, and F. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L748 (1996).
  317. H. Watanabe, T. Mizutani, and A. Usui, in Very High Speed Integrated Circuits: Heterostructure, edited by T. Ikoma (Aca- demic Press, San Diego, 1990), vol. 30 of Semiconductors and Semimentals, pp. 1­52.
  318. H. Viirola and L. Niinistö, Thin Solid Films 249, 144 (1994).
  319. H. Viirola and L. Niinistö, Thin Solid Films 251, 127 (1994).
  320. H. Y. Wang, S. C. Huang, T. Y. Yan, J. R. Gong, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, Mater. Sci. Eng., B 57, 218 (1999).
  321. H. Yokoyama, M. Tanimoto, M. Shinohara, and N. Inoue, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1292 (1994).
  322. H. Zhang, R. Solanki, B. Roberds, G. Bai, and I. Banerjee, J. Appl. Phys. 87, 1921 (2000).
  323. H.-J. Song, C.-S. Lee, and S.-W. Kang, Electrochem. Solid- State Lett. 4, F13 (2001).
  324. H.-S. Park, J.-S. Min, J.-W. Lim, and S.-W. Kang, Appl. Surf. Sci. 158, 81 (2000).
  325. I. Bhat and S. Akram, J. Cryst. Growth 138, 127 (1994).
  326. I. Bhat, H. Ehsani, W. S. Wang, S. K. Ghandhi, and N. H. Karam, J. Vac. Sci. Technol., B 10, 1376 (1992).
  327. I. Hernández-Calderón, M. García-Rocha, and P. Díaz- Arencibia, Phys. Status Solidi B 241, 558 (2004).
  328. I. Suemune, Appl. Surf. Sci. 82/83, 149 (1994).
  329. I. V. Babich, Yu. V. Plyuto, P. Van Der Voort, and E. F. Vansant, J. Chem. Soc., Faraday Trans. 93, 3191 (1997).
  330. I. V. Babich, Yu. V. Plyuto, P. Van Der Voort, and E. F. Vansant, J. Colloid Interface Sci. 189, 144 (1997).
  331. I.-D. Kim, H. L. Tuller, H.-S. Kim, and J.-S. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 4705 (2004).
  332. J. A. Gupta, J. C. Woicik, S. P. Watkins, K. E. Miyano, J. G. Pellegrino, and E. D. Crozier, J. Cryst. Growth 195, 34 (1998).
  333. J. A. Lahtinen, A. Lu, T. Tuomi, and M. Tammenmaa, J. Appl. Phys. 58, 1851 (1985).
  334. J. A. Yarmoff, D. K. Shuh, T. D. Durbin, C. W. Lo, D. A. Lapiano-Smith, F. R. McFreely, and F. J. Himpsel, J. Vac. Sci. Technol., A 10, 2303 (1992).
  335. J. Aarik and H. Siimon, Appl. Surf. Sci. 81, 281 (1994).
  336. J. Aarik, A. Aidla, A. Jaek, A.-A. Kiisler, and A.-A. Tammik, Acta Polytech. Scand., Ser. Chem. Technol. Metall. 195, 201 (1990).
  337. J. Aarik, A. Aidla, A. Jaek, M. Leskelä, and L. Niinistö, Appl. Surf. Sci. 75, 33 (1994).
  338. J. Aarik, A. Aidla, A. Jaek, M. Leskelä, and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 4, 1239 (1994).
  339. J. Aarik, A. Aidla, A. Kikas, T. Käämbre, R. Rammula, P. Rit- slaid, T. Uustare, and V. Sammelselg, Appl. Surf. Sci. 230, 292 (2004).
  340. J. Aarik, A. Aidla, A.-A. Kiisler, T. Uustare, and V. Sam- melselg, Thin Solid Films 305, 270 (1997).
  341. J. Aarik, A. Aidla, A.-A. Kiisler, T. Uustare, and V. Sam- melselg, Thin Solid Films 340, 110 (1999).
  342. J. Aarik, A. Aidla, and K. Kukli, Appl. Surf. Sci. 75, 180 (1994).
  343. J. Aarik, A. Aidla, and T. Uustare, Philos. Mag. Lett. 73, 115 (1996).
  344. J. Aarik, A. Aidla, H. Mändar, and T. Uustare, Appl. Surf. Sci. 172 , 148 (2001).
  345. J. Aarik, A. Aidla, H. Mändar, and V. Sammelselg, J. Cryst. Growth 220, 531 (2000).
  346. J. Aarik, A. Aidla, H. Mändar, T. Uustare, and V. Sammelselg, Thin Solid Films 408, 97 (2002).
  347. J. Aarik, A. Aidla, H. Mändar, T. Uustare, K. Kukli, and M. Schuisky, Appl. Surf. Sci. 173, 15 (2001).
  348. J. Aarik, A. Aidla, H. Mändar, T. Uustare, M. Schuisky, and A. Hårsta, J. Cryst. Growth 242, 189 (2002).
  349. J. Aarik, A. Aidla, H. Mändar, V. Sammelselg, and T. Uustare, J. Cryst. Growth 220, 105 (2000).
  350. J. Aarik, A. Aidla, K. Kukli, and T. Uustare, J. Cryst. Growth 144 , 116 (1994).
  351. J. Aarik, A. Aidla, T. Uustare, and V. Sammelselg, J. Cryst. Growth 148, 268 (1995).
  352. J. Aarik, A. Aidla, T. Uustare, K. Kukli, V. Sammelselg, M. Ri- tala, and M. Leskelä, Appl. Surf. Sci. 193, 277 (2002).
  353. J. Aarik, A. Aidla, T. Uustare, M. Ritala, and M. Leskelä, Appl. Surf. Sci. 161, 385 (2000).
  354. J. Aarik, A. Aidla, V. Sammelselg, and T. Uustare, J. Cryst. Growth 181, 259 (1997).
  355. J. Aarik, A. Aidla, V. Sammelselg, H. Siimon, and T. Uustare, J. Cryst. Growth 169, 496 (1996).
  356. J. Aarik, A. Aidla, V. Sammelselg, T. Uustare, M. Ritala, and M. Leskelä, Thin Solid Films 370, 163 (2000).
  357. J. Aarik, H. Mändar, M. Kirm, and L. Pung, Thin Solid Films 466 , 41 (2004).
  358. J. Aarik, J. Karlis, H. Mändar, T. Uustare, and V. Sammelselg, Appl. Surf. Sci. 181, 339 (2001).
  359. J. Aarik, J. Sundqvist, A. Aidla, J. Lu, T. Sajavaara, K. Kukli, and A. Hårsta, Thin Solid Films 418, 69 (2002).
  360. J. Aarik, K. Kukli, A. Aidla, and L. Pung, Appl. Surf. Sci. 103, 331 (1996).
  361. J. Ahopelto, H. P. Kattelus, J. Saarilahti, and I. Suni, J. Cryst. Growth 99, 550 (1990).
  362. J. B. Kim, D. R. Kwon, K. Chakrabarti, C. Lee, K. Y. Oh, and J. H. Lee, J. Appl. Phys. 92, 6739 (2002).
  363. J. C. Badot, A. Mantoux, N. Baffier, O. Dubrunfaut, and D. Lin- cot, J. Mater. Chem. 14, 3411 (2004).
  364. J. C. Badot, S. Ribes, E. B. Yousfi, V. Vivier, J. P. Pereira- Ramos, N. Baffier, and D. Lincot, Electrochem. Solid-State Lett. 3, 485 (2000).
  365. J. Chae, H.-S. Park, and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett. 5, C64 (2002).
  366. J. Conley, J. F., Y. Ono, D. J. Tweet, W. Zhuang, and R. Solanki, J. Appl. Phys. 93, 712 (2003).
  367. J. Conley, J. F., Y. Ono, R. Solanki, G. Stecker, and W. Zhuang, Appl. Phys. lett. 82, 3508 (2003).
  368. J. Conley, J. F., Y. Ono, W. Zhuang, D. J. Tweet, W. Gao, S. K. Mohammed, and R. Solanki, Electrochem. Solid-State Lett. 5, C57 (2002).
  369. J. D. Ferguson, A. R. Yoder, A. W. Weimer, and S. M. George, Appl. Surf. Sci. 226, 393 (2004).
  370. J. D. Ferguson, A. W. Weimer, and S. M. George, Appl. Surf. Sci. 162/163, 280 (2000).
  371. J. D. Ferguson, A. W. Weimer, and S. M. George, Chem. Mater. 12 , 3472 (2000).
  372. J. D. Ferguson, A. W. Weimer, and S. M. George, Chem. Mater. 16 , 5602 (2004).
  373. J. D. Ferguson, A. W. Weimer, and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol., A 23, 118 (2005).
  374. J. D. Ferguson, A. W. Weimer, and S. M. George, Thin Solid Films 371, 95 (2000).
  375. J. D. Ferguson, A. W. Weimer, and S. M. George, Thin Solid Films 413, 16 (2002).
  376. J. D. Ferguson, E. R. Smith, A. W. Weimer, and S. M. George, J. Electrochem. Soc. 151, G528 (2004).
  377. J. E. Crowell, J. Vac. Sci. Technol., A 21, S88 (2003).
  378. J. H. Han, G. Gao, Y. Widjaja, E. Garfunkel, and C. B. Mus- grave, Surf. Sci. 550, 199 (2004).
  379. J. H. Yun, E. S. Choi, C. M. Jang, and C. S. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L418 (2002).
  380. J. Hukkamäki, S. Suvanto, M. Suvanto, and T. T. Pakkanen, Langmuir 20, 10288 (2004).
  381. J. Hyvärinen, M. Sonninen, and R. Törnqvist, J. Cryst. Growth 86 , 695 (1988).
  382. J. I. Skarp, P. J. Soininen, and P. T. Soininen, Appl. Surf. Sci. 112 , 251 (1997).
  383. J. Ihanus, M. Ritala, M. Leskelä, and E. Rauhala, Appl. Surf. Sci. 112, 154 (1997).
  384. J. Ihanus, M. Ritala, M. Leskelä, T. Prohaska, R. Resch, G. Friedbacher, and M. Grasserbauer, Appl. Surf. Sci. 120, 43 (1997).
  385. J. Ihanus, T. Hänninen, T. Hatanpää, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 151, H221 (2004).
  386. J. Ihanus, T. Hänninen, T. Hatanpää, T. Aaltonen, I. Mutikainen, T. Sajavaara, J. Keinonen, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Mater. 14, 1937 (2002).
  387. J. J. Park, W. J. Lee, G. H. Lee, I. S. Kim, B. C. Shin, and S. G. Yoon, Integr. Ferroelectr. 68, 129 (2004).
  388. J. J. Senkevich, F. Tang, D. Rogers, J. T. Drotar, C. Jezewski, W. A. Lanford, G. C. Wang, and T. M. Lu, Chem. Vap. Deposi- tion 9, 258 (2003).
  389. J. Johansson, J. Kostamo, M. Karppinen, and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 12, 1022 (2002).
  390. J. Jokinen, P. Haussalo, J. Keinonen, M. Ritala, D. Riihelä, and M. Leskelä, Thin Solid Films 289, 159 (1996).
  391. J. K. Kang and C. B. Musgrave, J. Appl. Phys. 91, 3408 (2002).
  392. J. Keranen, C. Guimon, E. Iiskola, A. Auroux, and L. Niinisto, J. Phys. Chem. B 107, 10773 (2003).
  393. J. Keränen, A. Auroux, S. Ek, and L. Niinistö, Appl. Catal., A 228 , 213 (2002).
  394. J. Keränen, C. Guimon, A. Auroux, E. I. Iiskola, and L. Niin- istö, Phys. Chem. Chem. Phys. 5, 5333 (2003).
  395. J. Keränen, C. Guimon, E. Liskola, A. Auroux, and L. Niinistö, Catal. Today 78, 149 (2003).
  396. J. Keränen, E. Iiskola, C. Guimon, A. Auroux, and L. Niin- istö, in Proceedings of the 8th International Symposium "Sci- entific Bases for the Preparation of Heterogeneous Catalysts," Louvain-la-Neuve, Belgium, September 9-12, 2002, edited by E. Gaigneaux, D. E. De Vos, P. Grange, P. A. Jacobs, J. A. Martens, P. Ruiz, and G. Poncelet (Elsevier, Amsterdam, 2002), vol. 143 of Stud. Surf. Sci. Catal., pp. 777­785.
  397. J. Kim and K. Yong, Electrochem. Solid-State Lett. 7, F35 (2004).
  398. J. Kim, H. Hong, K. Oh, and C. Lee, Appl. Surf. Sci. 210, 231 (2003).
  399. J. Kim, H. Hong, S. Ghosh, K.-Y. Oh, and C. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 1375 (2003).
  400. J. Kim, K. Chakrabarti, J. Lee, K.-Y. Oh, and C. Lee, Mater. Chem. Phys. 78, 733 (2003).
  401. J. Koo, Y. Kim, and H. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 3043 (2002).
  402. J. Kratochvíla, Z. Kadlc, A. Kazda, and Z. Salajka, J. Non- Cryst. Solids 143, 14 (1992).
  403. J. Kunawicz, P. Jones, and J. A. Hockey, Trans. Faraday Soc. 67 , 848 (1971).
  404. J. L. Stickney, Electroanal. Chem. 21, 75 (1999).
  405. J. Lee, J. Koo, H. S. Sim, H. Jeon, and Y. Won, J. Korean Phys. Soc. 44, 915 (2004).
  406. J. Lim, K. Shin, H. Kim, and C. Lee, Thin Solid Films 475, 256 (2005).
  407. J. Lim, K. Shin, H. W. Kim, and C. Lee, J. Lumin. 109, 181 (2004).
  408. J. Lim, K. Shin, K. W. Kim, and C. Lee, Mater. Sci. Eng., B 107 , 301 (2004).
  409. J. Lu, J. Aarik, J. Sundqvist, K. Kukli, A. Hårsta, and J.-O.
  410. J. Lu, J. Sundqvist, M. Ottosson, A. Tarre, A. Rosental, J. Aarik, and A. Hårsta, J. Cryst. Growth 260, 191 (2004).
  411. J. M. Hartmann, F. Kany, F. Chautain, J. L. Rouvière, A. Wasiela, and H. Mariette, J. Cryst. Growth 184/185, 279 (1998).
  412. J. M. Hartmann, F. Kany, M. Charleux, Y. Samson, J. L. Rouvière, and H. Mariette, J. Appl. Phys. 84, 4300 (1998).
  413. J. M. Hartmann, G. Feuillet, M. Charleux, and H. Mariette, J. Appl. Phys. 79, 3035 (1996).
  414. J. M. Hartmann, J. Cibert, F. Kany, H. Mariette, M. Charleux, P. Alleysson, R. Langer, and G. Feuillet, J. Appl. Phys. 80, 6257 (1996).
  415. J. M. Hartmann, M. Charleux, H. Mariette, and J. L. Rouvière, Appl. Surf. Sci. 112, 142 (1997).
  416. J. M. Hartmann, M. Charleux, J. Cibert, and H. Mariette, Appl. Phys. Lett. 72, 3151 (1998).
  417. J. M. Hartmann, M. Charleux, J. L. Rouvière, and H. Mariette, Appl. Phys. Lett. 70, 1113 (1997).
  418. J. M. Heitzinger, J. M. White, and J. G. Ekerdt, Surf. Sci. 299, 892 (1994).
  419. J. M. Jensen, A. B. Oelkers, R. Toivola, D. C. Johnson, J. W. Elam, and S. M. George, Chem. Mater. 14, 2276 (2002).
  420. J. M. Kanervo and A. O. I. Krause, J. Phys. Chem. B 105, 9778 (2001).
  421. J. Murota, M. Sakuraba, and S. Ono, Appl. Phys. Lett. 62, 2353 (1993).
  422. J. N. Kidder, Jr., H. K. Yun, J. W. Rogers, Jr., and T. P. Pearsall, Chem. Mater. 10, 777 (1998).
  423. J. N. Kidder, Jr., J. S. Kuo, A. Ludviksson, T. P. Pearsall, J. W. Rogers, Jr., J. M. Grant, L. R. Allen, and S. T. Hsu, J. Vac. Sci. Technol., A 13, 711 (1995).
  424. J. Niinistö, M. Putkonen, and L. Niinistö, Chem. Mater. 16, 2953 (2004).
  425. J. Niinistö, M. Putkonen, L. Niinistö, K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Appl. Phys. 95, 84 (2004).
  426. J. Nishizawa and T. Kurabayashi, Appl. Surf. Sci. 106, 11 (1996).
  427. J. Nishizawa, A. Murai, T. Oizumi, T. Kurabayashi, K. Kanamoto, and T. Yoshida, J. Cryst. Growth 226, 39 (2001).
  428. J. Nishizawa, A. Murai, T. Oizumi, T. Kurabayashi, K. Kanamoto, and T. Yoshida, J. Cryst. Growth 233, 161 (2001).
  429. J. Nishizawa, A. Murai, T. Oizumi, T. Kurabayashi, K. Oht- suka, and T. Yoshida, J. Cryst. Growth 209, 327 (2000).
  430. J. Nishizawa, H. Abe, and T. Kurabayashi, J. Electrochem. Soc. 132 , 1197 (1985).
  431. J. Nishizawa, K. Aoki, S. Suzuki, and K. Kikuchi, J. Cryst. Growth 99, 502 (1990).
  432. J. Nishizawa, K. Aoki, S. Suzuki, and K. Kikuchi, J. Elec- trochem. Soc. 137, 1898 (1990).
  433. J. Nishizawa, T. Kurabayashi, P. Plotka, H. Kikuchi, and T. Hamano, J. Cryst. Growth 244, 236 (2002).
  434. J. Nishizawa, T. Kurabayashi, P. Plotka, H. Kikuchi, and T. Hamano, Mater. Sci. Semicond. Process. 6, 429 (2003).
  435. J. Okabayashi, S. Toyoda, H. Kumigashira, M. Oshima, K. Usuda, M. Niwa, and G. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 85, 5959 (2004).
  436. J. P. Jacobs, L. P. Lindfors, J. G. H. Reintjes, O. Jylhä, and H. H. Brongersma, Catal. Lett. 25, 315 (1994).
  437. J. P. Lee, M. H. Park, T. M. Chung, Y. Kim, and M. M. Sung, Bull. Korean Chem. Soc. 25, 475 (2004).
  438. J. P. Simko, T. Meguro, S. Iwai, K. Ozasa, A. Hirata, Y. Aoyagi, and T. Sugano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1518 (1992).
  439. J. Park, B. Choi, N. Park, H. J. Shin, J. G. Lee, and J. Kim, Integr. Ferroelectr. 48, 23 (2002).
  440. J. Päiväsaari, M. Putkonen, and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 12, 1828 (2002).
  441. J. Päiväsaari, M. Putkonen, and L. Niinistö, Thin Solid Films 472 , 275 (2005).
  442. J. Päiväsaari, M. Putkonen, T. Sajavaara, and L. Niinistö, J. Al- loys Compd. 374, 124 (2004).
  443. J. R. Creighton and B. A. Bansenauer, Thin Solid Films 225, 17 (1993).
  444. J. R. Creighton, K. R. Lykke, V. A. Shamamian, and B. D. Kay, Appl. Phys. Lett. 57, 279 (1990).
  445. J. R. Gong, P. S. Colter, D. Jung, S. A. Hussien, C. A. Parker, A. Dip, F. Huyga, W. M. Duncam, and S. M. Bedair, J. Cryst. Growth 107, 83 (1991).
  446. J. R. Gong, S. Nakamura, M. Leonard, S. M. Bedair, and N. A. El-Masry, J. Electron. Mater. 21, 965 (1992).
  447. J. Rautanen, M. Leskelä, L. Niinistö, E. Nykänen, P. Soininen, and M. Utriainen, Appl. Surf. Sci. 82/83, 553 (1994).
  448. J. Robertson, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 28, 265 (2004).
  449. J. S. Becker and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 82, 2239 (2003).
  450. J. S. Becker, E. Kim, and R. G. Gordon, Chem. Mater. 16, 3497 (2004).
  451. J. S. Becker, S. Suh, S. Wang, and R. G. Gordon, Chem. Mater. 15 , 2969 (2003).
  452. J. S. Huo, R. Solanki, and J. McAndrew, J. Mater. Res. 17, 2394 (2002).
  453. J. S. King, C. W. Neff, C. J. Summers, W. Park, S. Blomquist, E. Forsythe, and D. Morton, Appl. Phys. Lett. 83, 2566 (2003).
  454. J. S. Lee, B. Min, K. Cho, S. Kim, J. Park, Y. T. Lee, N. S. Kim, M. S. Lee, S. O. Park, and J. T. Moon, J. Cryst. Growth 254, 443 (2003).
  455. J. Sterner, J. Kessler, and L. Stolt, J. Vac. Sci. Technol., A 20, 278 (2002).
  456. J. Sumakeris, L. B. Rowland, R. S. Kern, S. Tanaka, and R. F. Davis, Thin Solid Films 225, 219 (1993).
  457. J. Sumakeris, Z. Sitar, K. S. Ailey-Trent, K. L. More, and R. F. Davis, Thin Solid Films 225, 244 (1993).
  458. J. Sundqvist, A. Hårsta, J. Aarik, K. Kukli, and A. Aidla, Thin Solid Films 427, 147 (2003).
  459. J. Sundqvist, A. Tarre, A. Rosental, and A. Hårsta, Chem. Vap. Deposition 9, 21 (2003).
  460. J. Sundqvist, H. Högberg, and A. Hårsta, Chem. Vap. Deposi- tion 9, 245 (2003).
  461. J. T. Sadowski and M. A. Herman, Appl. Surf. Sci. 112, 148 (1997).
  462. J. T. Sadowski and M. A. Herman, Thin Solid Films 306, 266 (1997).
  463. J. Uhm and H. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 4657 (2001).
  464. J. Uhm, S. Lee, J. Lee, Y. D. Kim, H. Jeon, T. Cha, and K. Yi, J. Korean Phys. Soc. 35, S765 (1999).
  465. J. W. Elam and S. M. George, Chem. Mater. 15, 1020 (2003).
  466. J. W. Elam, C. E. Nelson, R. K. Grubbs, and S. M. George, Surf. Sci. 479, 121 (2001).
  467. J. W. Elam, C. E. Nelson, R. K. Grubbs, and S. M. George, Thin Solid Films 386, 41 (2001).
  468. J. W. Elam, G. Xiong, C. Y. Han, J. P. Birrell, G. A. Willing, H. H. Wang, J. N. Hryn, and M. J. Pellin, AVS Topical Confer- ence on Atomic Layer Deposition "ALD 2004," Helsinki, Fin- land, August 16­18, 2004 (oral presentation).
  469. J. W. Elam, M. D. Groner, and S. M. George, Rev. Sci. Instrum. 73 , 2981 (2002).
  470. J. W. Elam, M. Schuisky, J. D. Ferguson, and S. M. George, Thin Solid Films 436, 145 (2003).
  471. J. W. Elam, Z. A. Zechrist, and S. M. George, Thin Solid Films 414 , 43 (2002).
  472. J. W. Klaus and S. M. George, Surf. Sci. 447, 81 (2000).
  473. J. W. Klaus, A. W. Ott, A. C. Dillon, and S. M. George, Surf. Sci. 418, L14 (1998).
  474. J. W. Klaus, A. W. Ott, and S. M. George, Surf. Rev. Lett. 6, 435 (1999).
  475. J. W. Klaus, A. W. Ott, J. M. Johnson, and S. M. George, Appl. Phys. Lett. 70, 1092 (1997).
  476. J. W. Klaus, O. Sneh, and S. M. George, Science 278, 1934 (1997).
  477. J. W. Klaus, S. J. Ferro, and S. M. George, Appl. Surf. Sci. 162­163 , 479 (2000).
  478. J. W. Klaus, S. J. Ferro, and S. M. George, J. Electrochem. Soc. 147 , 1175 (2000).
  479. J. W. Klaus, S. J. Ferro, and S. M. George, Thin Solid Films 360 , 145 (2000).
  480. J. W. Lim and S. J. Yun, Electrochem. Solid-State Lett. 7, F45 (2004).
  481. J. W. Lim and S. J. Yun, Electrochem. Solid-State Lett. 7, H33 (2004).
  482. J. Y. Kim, D. Y. Kim, H. O. Park, and H. Jeon, J. Electrochem. Soc. 152, G29 (2005).
  483. J. Y. Kim, D. Y. Kim, H. O. Park, and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc. 45, 1639 (2004).
  484. J. Y. Kim, G. H. Choi, Y. D. Kim, Y. Kim, and H. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 4245 (2003).
  485. J. Y. Kim, H. K. Kim, Y. Kim, Y. D. Kim, W. M. Kim, and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc. 40, 176 (2002).
  486. J. Y. Kim, K. W. Lee, H. O. Park, Y. D. Kim, H. Jeon, and Y. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, 1069 (2004).
  487. J. Y. Kim, S. Seo, D. Y. Kim, H. Jeon, and Y. Kim, J. Vac. Sci. Technol., A 22, 8 (2004).
  488. J. Y. Kim, Y. Kim, and H. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L414 (2003).
  489. J. Y. Lee, J. H. Chang, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, K. Goto, K. Godo, H. Makino, M. Cho, T. Yao, et al., Curr. Appl. Phys. 4 , 611 (2004).
  490. J.-C. Kwak, Y.-H. Lee, and B.-H. Choi, Appl. Surf. Sci. 230, 249 (2004).
  491. J.-F. Damlencourt, O. Renault, A. Chabli, F. Martin, and M.-N. Séméria, J. Mater. Sci. - Mater. Electron. 14, 379 (2003).
  492. J.-F. Damlencourt, O. Renault, D. Samour, A.-M. Papon, C. Leroux, F. Martin, S. Marthon, M.-N. Séméria, and X. Gar- ros, Solid-State Electron. 47, 1613 (2003).
  493. J.-F. Damlencourt, O. Weber, O. Renault, J.-M. Hartmann, C. Poggi, F. Ducroquet, and T. Billon, J. Appl. Phys. 96, 5478 (2004).
  494. J.-F. Fan and K. Toyoda, Appl. Surf. Sci. 60/61, 765 (1992).
  495. J.-F. Fan and K. Toyoda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L1349 (1993).
  496. J.-F. Fan, J. Sugioka, and K. Toyoda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30 , L1139 (1991).
  497. J.-F. Guillemoles, B. Canava, E. B. Yousfi, P. Cowache, A. Gal- tayries, T. Asikainen, M. Powalla, D. Hariskos, H.-W. Schock, and D. Lincot, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6065 (2001).
  498. J.-H. Lee, U.-J. Kim, C.-H. Han, S.-K. Rha, W.-J. Lee, and C.- O. Park, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L328 (2004).
  499. J.-J. Ganem, I. Trimaille, I. C. Vickridge, D. Blin, and F. Mar- tin, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 219/220, 856 (2004).
  500. J.-S. Lee, S. Iwai, H. Isshiki, T. Meguro, T. Sugano, and Y. Aoy- agi, Appl. Surf. Sci. 103, 275 (1996).
  501. J.-S. Lee, S. Iwai, H. Isshiki, T. Meguro, T. Sugano, and Y. Aoy- agi, J. Cryst. Growth 160, 21 (1996).
  502. J.-S. Min, H.-S. Park, and S.-W. Kang, Appl. Phys. Lett. 75, 1521 (1999).
  503. J.-S. Min, Y.-W. Son, W.-G. Kang, S.-S. Chun, and S.-W. Kang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 4999 (1998).
  504. J.-S. Park, H.-S. Park, and S.-W. Kang, J. Electrochem. Soc. 149, C28 (2002).
  505. J.-S. Park, M.-J. Lee, C.-S. Lee, and S.-W. Kang, Electrochem. Solid State Lett. 4, C17 (2001).
  506. J.-W. Lim, H.-S. Park, and S.-W. Kang, J. Appl. Phys. 88, 6327 (2000).
  507. J.-W. Lim, H.-S. Park, and S.-W. Kang, J. Electrochem. Soc. 148 , C403 (2001).
  508. J.-W. Lim, J.-S. Park, and S.-W. Kang, J. Appl. Phys. 87, 4632 (2000).
  509. K. Arai, Z. Q. Zhu, T. Sekiguchi, T. Yasuda, F. Lu, N. Kuroda, Y. Segawa, and T. Yao, J. Cryst. Growth 184/185, 254 (1998).
  510. K. Endo and T. Tatsumi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L685 (2003).
  511. K. Endo and T. Tatsumi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1296 (2004).
  512. K. Forsgren, A. Hårsta, J. Aarik, A. Aidla, J. Westlinder, and J. Olsson, J. Electrochem. Soc. 149, F139 (2002).
  513. K. Forsgren, J. Westlinder, J. Lu, J. Olsson, and A. Hårsta, Chem. Vap. Deposition 8, 105 (2002).
  514. K. Fujii, I. Suemune, and M. Yamanishi, Appl. Phys. Lett. 61, 2577 (1992).
  515. K. Fujii, I. Suemune, and M. Yamanishi, Appl. Phys. Lett. 62, 1420 (1993).
  516. K. Fujii, I. Suemune, T. Koui, and M. Yamanishi, Appl. Phys. Lett. 60, 1498 (1992).
  517. K. G. Reid, A. F. Myers, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Thin Solid Films 225, 59 (1993).
  518. K. G. Reid, H. M. Urdianyk, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 59 , 2397 (1991).
  519. K. H. Huang, T. S. Ku, and D. S. Lin, Phys. Rev. B 56, 4878 (1997).
  520. K. Ikeda, J. Yanase, S. Sugahara, and M. Matsumura, J. Korean Phys. Soc. 39, S447 (2001).
  521. K. Ishikawa, R. Kobayashi, S. Narahara, and F. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 1716 (1992).
  522. K. Kaiya, N. Yoshii, K. Omichi, N. Takahashi, T. Nakamura, S. Okamoto, and H. Yamamoto, Chem. Mater. 13, 1952 (2001).
  523. K. Kaiya, N. Yoshii, N. Takahashi, and T. Nakamura, J. Mater. Sci. Lett. 19, 2089 (2000).
  524. K. Kitahara, M. Ozeki, and K. Nakajima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 1051 (1993).
  525. K. Kitahara, N. Ohtsuka, and M. Ozeki, J. Vac. Sci. Technol., B 7 , 700 (1989).
  526. K. Kitahara, N. Ohtsuka, O. Ueda, M. Funagura, and M. Ozeki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L2457 (1990).
  527. K. Kitahara, N. Ohtsuka, T. Ashino, M. Ozeki, and K. Naka- jima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L236 (1993).
  528. K. Kobayashi and S. Okudaira, Chem. Lett. 26, 511 (1997).
  529. K. Kodama, M. Ozeki, K. Mochizuki, and N. Ohtsuka, Appl. Phys. Lett. 54, 656 (1989).
  530. K. Kodama, M. Ozeki, Y. Sakuma, K. Mochizuki, and N. Oht- suka, J. Cryst. Growth 99, 535 (1990).
  531. K. Kono, T. Kurabayashi, J. Nishizawa, and M. Esashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 5737 (2000).
  532. K. Kopalko, M. Godlewski, E. Guziewicz, E. Lusakowska, W. Paszkowicz, J. Domagala, E. Dynowska, A. Szczerbakow, A. Wójcik, and M. R. Phillips, Vacuum 74, 269 (2004).
  533. K. Kopalko, M. Godlewski, J. Z. Domagala, E. Lusakowska, R. Minikayev, W. Paszkowicz, and A. Szczerbakow, Chem. Mater. 16, 1447 (2004).
  534. K. Kukli, A. Aidla, J. Aarik, M. Schuisky, A. Håsta, M. Ritala, and M. Leskelä, Langmuir 16, 8122 (2000).
  535. K. Kukli, H. Heikkinen, E. Nykänen, and L. Niinistö, J. Alloys Compd. 275-277, 10 (1998).
  536. K. Kukli, J. Aarik, A. Aidla, H. Siimon, M. Ritala, and M. Leskelä, Appl. Surf. Sci. 112, 236 (1997).
  537. K. Kukli, J. Aarik, A. Aidla, K. Forsgren, J. Sundqvist, A. Hårsta, T. Uustare, H. Mändar, and A. A. Kiisler, Chem. Mater. 13, 122 (2001).
  538. K. Kukli, J. Aarik, A. Aidla, O. Kohan, T. Uustare, and V. Sam- melselg, Thin Solid Films 260, 135 (1995).
  539. K. Kukli, J. Aarik, M. Ritala, T. Uustare, T. Sajavaara, J. Lu, J. Sundqvist, A. Aidla, L. Pung, A. Hårsta, et al., J. Appl. Phys. 96 , 5298 (2004).
  540. K. Kukli, J. Ihanus, M. Ritala, and M. Leskelä, Appl. Phys. Lett. 68 , 3737 (1996).
  541. K. Kukli, J. Ihanus, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 144, 300 (1997).
  542. K. Kukli, K. Forsgren, J. Aarik, T. Uustare, A. Aidla, A. Niska- nen, M. Ritala, M. Leskelä, and A. Hårsta, J. Cryst. Growth 231 , 262 (2001).
  543. K. Kukli, K. Forsgren, M. Ritala, M. Leskelä, J. Aarik, and A. Hårsta, J. Electrochem. Soc. 148, F227 (2001).
  544. K. Kukli, M. Peussa, L.-S. Johansson, E. Nykänen, and L. Ni- inistö, Mater. Sci. Forum 315-3, 216 (1999).
  545. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Mater. 12, 1914 (2000).
  546. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 6, 297 (2000).
  547. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Appl. Phys. 86, 5656 (1999).
  548. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 142, 1670 (1995).
  549. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 148, F35 (2001).
  550. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, Nanostruct. Mater. 8, 785 (1997).
  551. K. Kukli, M. Ritala, J. Aarik, T. Uustare, and M. Leskelä, J. Appl. Phys. 92, 1833 (2002).
  552. K. Kukli, M. Ritala, J. Lu, A. Hårsta, and M. Leskelä, J. Elec- trochem. Soc. 151, F189 (2004).
  553. K. Kukli, M. Ritala, J. Sundqvist, J. Aarik, J. Lu, T. Sajavaara, M. Leskelä, and A. Hårsta, J. Appl. Phys. 92, 5698 (2002).
  554. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, and J. Jokinen, J. Vac. Sci. Tech., A 15, 2214 (1997).
  555. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, and R. Lappalainen, Chem. Vap. Deposition 4, 29 (1998).
  556. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, S. Due~nas, H. Castán, H. García, and J. Barbolla, AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition "ALD 2004," Helsinki, Finland, August 16­ 18, 2004 (oral presentation).
  557. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, A. C. Jones, and J. L. Roberts, Chem. Mater. 15, 1722 (2003).
  558. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, A. C. Jones, and J. L. Roberts, Chem. Vap. Deposition 9, 315 (2003).
  559. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, A. C. Jones, and N. L. Tobin, Chem. Vap. Deposition 10, 91 (2004).
  560. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, D. C. Gilmer, R. Hedge, R. Rai, and L. Prabhu, J. Mater. Sci. - Mater. Electron. 14, 361 (2003).
  561. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, R. I. Hegde, D. C. Gilmer, and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 151, F98 (2004).
  562. K. Kukli, M. Ritala, M. Schusky, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, T. Uustare, and A. Hårsta, Chem. Vap. Deposition 6 , 303 (2000).
  563. K. Kukli, M. Ritala, R. Matero, and M. Leskelä, J. Cryst. Growth 212, 459 (2000).
  564. K. Kukli, M. Ritala, T. Pilvi, T. Sajavaara, M. Leskelä, A. C. Jones, H. C. Aspinall, D. C. Gilmer, and P. J. Tobin, Chem. Mater. 16, 5162 (2004).
  565. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 8, 199 (2002).
  566. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskelä, Thin Solid Films 416, 72 (2002).
  567. K. Kukli, M. Ritala, T. Uustare, J. Aarik, K. Forsgren, T. Sa- javaara, M. Leskelä, and A. Hårsta, Thin Solid Films 410, 53 (2002).
  568. K. L. Choy, Prog. Mater. Sci. 48, 57 (2003).
  569. K. Mochizuki, M. Ozeki, K. Kodama, and N. Ohtsuka, J. Cryst. Growth 93, 557 (1988).
  570. K. Mori, M. Yoshida, A. Usui, and H. Terao, Appl. Phys. Lett. 52 , 27 (1988).
  571. K. Mori, S. Sugou, Y. Kato, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 60, 1717 (1992).
  572. K. Mukai, N. Ohtsuka, H. Shoji, and M. Sugawara, Appl. Surf. Sci. 112, 102 (1997).
  573. K. Nakajima, S. Joumori, M. Suzuki, K. Kimura, T. Osipowicz, K. L. Tok, J. Z. Zheng, A. See, and B. C. Zhang, Appl. Surf. Sci. 237, 416 (2004).
  574. K. Nishi, A. Usui, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 61, 31 (1992).
  575. K. Nishi, A. Usui, and H. Sakaki, Thin Solid Films 225, 47 (1993).
  576. K. Raghavachari and M. D. Halls, Mol. Phys. 102, 381 (2004).
  577. K. S. A. Butcher, P. Afifuddin, P.-T. Chen, M. Godlewski, A. Szczerbakow, E. M. Goldys, T. L. Tansley, and J. A. Freitas, Jr., J. Cryst. Growth 246, 237 (2002).
  578. K. S. An, W. T. Cho, K. H. Sung, S. S. Lee, and Y. Kim, Bull. Korean Chem. Soc. 24, 1659 (2003).
  579. K. S. Boutros, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 67, 1856 (1995).
  580. K. S. Finnie, G. Triani, K. T. Short, D. R. G. Mitchell, D. J. Attard, J. R. Bartlett, and C. J. Barbé, Thin Solid Films 440, 109 (2003).
  581. K. Saito, Y. Watanabe, K. Takahashi, T. Matsuzawa, B. Sang, and M. Konagai, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 49, 187 (1997).
  582. K. Schrijnemakers, N. R. E. N. Impens, and E. F. Vansant, Langmuir 15, 5807 (1999).
  583. K. Schrijnemakers, P. Van Der Voort, and E. F. Vansant, Phys. Chem. Chem. Phys. 1, 2569 (1999).
  584. K. Tóth, T. A. Pakkanen, P. Hirva, and J. Muilu, Surf. Sci. 277, 395 (1992).
  585. K. Yamaguchi, S. Imai, N. Ishitobi, M. Takemoto, H. Miki, and M. Matsumura, Appl. Surf. Sci. 130-132, 202 (1998).
  586. K.-E. Elers, M. Ritala, M. Leskelä, and E. Rauhala, Appl. Surf. Sci. 82/83, 468 (1994).
  587. K.-E. Elers, M. Ritala, M. Leskelä, and L.-S. Johansson, J. Phys. IV. 5, C5/1021 (1995).
  588. K.-E. Elers, V. Saanila, P. J. Soininen, J. T. Kostamo, S. Haukka, J. Juhanoja, and W. F. A. Besling, Chem. Vap. Deposition 8, 149 (2002).
  589. K.-E. Elers, V. Saanila, W.-M. Li, P. J. Soininen, J. T. Kostamo, S. Haukka, J. Juhanoja, and W. F. A. Besling, Thin Solid Films 434 , 94 (2003).
  590. L. B. Backman, A. Rautiainen, A. O. I. Krause, and M. Lind- blad, Catal. Today 43, 11 (1998).
  591. L. B. Backman, A. Rautiainen, M. Lindblad, and A. O. I. Krause, Appl. Catal., A 191, 55 (2000).
  592. L. B. Backman, A. Rautiainen, M. Lindblad, O. Jylhä, and A. O. I. Krause, Appl. Catal., A 208, 223 (2001).
  593. L. Carbonell, S. Tatarenko, J. Cibert, J. M. Hartmann, G. Mula, V. H. Etgens, and A. Arnoult, Appl. Surf. Sci. 123/124, 283 (1998).
  594. L. G. Gosset, J.-F. Damlencourt, O. Renault, D. Rouchon, Ph. Holliger, A. Ermolieff, I. Trimaille, J.-J. Ganem, F. Martin, and M.-N. Séméria, J. Non-Cryst. Solids 303, 17 (2002).
  595. L. Hiltunen, H. Kattelus, M. Leskelä, M. Mäkelä, L. Niinistö, E. Nykänen, P. Soininen, and M. Tiitta, Mater. Chem. Phys. 28, 379 (1991).
  596. L. Hiltunen, M. Leskelä, M. Mäkelä, L. Niinistö, E. Nykänen, and P. Soininen, Thin Solid Films 166, 149 (1988).
  597. L. I. Chernaya, P. E. Matkovskii, V. M. Rudakov, Yu. M. Shul'ga, I. V. Markov, V. I. Tomilo, and Z. G. Busheva, Zh. Ob- shch. Khim. 62, 28 (1992) [J. Gen. Chem. USSR 62, 21 (1992)].
  598. L. I. Petrova, A. A. Malkov, and A. A. Malygin, Zh. Prikl. Khim. 59, 1224 (1986) [J. Appl. Chem. USSR 59, 1131 (1986)].
  599. L. I. Petrova, A. A. Malkov, and A. A. Malygin, Zh. Prikl. Khim. 59, 2277 (1986) [J. Appl. Chem. USSR 59, 2093 (1986)].
  600. L. I. Petrova, A. A. Malkov, and A. A. Malygin, Zh. Prikl. Khim. 64, 1435 (1991) [J. Appl. Chem. USSR 64, 1290 (1991)].
  601. L. I. Petrova, A. A. Malkov, and A. A. Malygin, Zh. Prikl. Khim. 64, 763 (1991) [J. Appl. Chem. USSR 64, 679 (1991)].
  602. L. Jeloaica, A. Estéve, M. D. Rouhani, and D. Estéve, Appl. Phys. Lett. 83, 542 (2003).
  603. L. M. Yeddanapalli and C. C. Schubert, J. Chem. Phys. 14, 1 (1946).
  604. L. Marsal, H. Mariette, Y. Samson, J. L. Rouviere, and E. Pi- card, Appl. Phys. Lett. 73, 2974 (1998).
  605. L. Marsal, Y. Samson, J. L. Rouviere, and H. Mariette, J. Cryst. Growth 201/202, 1226 (1999).
  606. L. Niinistö and M. Leskelä, Thin Solid Films 225, 130 (1993).
  607. L. Niinistö, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 3, 147 (1998).
  608. L. Niinistö, J. Päiväsaari, J. Niinistö, M. Putkonen, and M. Nieminen, Phys. Status Solidi A 201, 1443 (2004).
  609. L. Niinistö, J. Therm. Anal. Calorim. 56, 7 (1999).
  610. L. Niinistö, M. Ritala, and M. Leskelä, Mater. Sci. Eng., B 41, 23 (1996).
  611. L. Reijnen, B. Meester, A. Goossens, and J. Schoonman, Chem. Vap. Deposition 9, 15 (2003).
  612. L. Reijnen, B. Meester, A. Goossens, and J. Schoonman, J. Phys. IV 11, Pr3/1103 (2001).
  613. L. T. Zhuravlev, Langmuir 3, 316 (1987).
  614. L. V. Miroshnichenko, A. A. Malygin, and S. I. Kol'tsov, Ogne- upory 26, 22 (1985) [Refractories 26, 82 (1985)].
  615. M. A. Alam and M. L. Green, J. Appl. Phys. 94, 3403 (2003).
  616. M. A. Cameron, I. P. Gartland, J. A. Smith, S. F. Diaz, and S. M. George, Langmuir 16, 7435 (2000).
  617. M. A. Eremeeva, A. P. Nechiporenko, G. N. Kuznetsova, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 47, 2332 (1974) [J. Appl. Chem. USSR 47, 2390 (1974)].
  618. M. A. Herman, Appl. Surf. Sci. 112, 1 (1997).
  619. M. A. Herman, M. Vulli, and M. Pessa, J. Cryst. Growth 73, 403 (1985).
  620. M. A. Herman, O. Jylhä, and M. Pessa, Cryst. Res. Technol. 21, 841 (1986).
  621. M. A. Herman, O. Jylhä, and M. Pessa, Cryst. Res. Technol. 21, 969 (1986).
  622. M. A. Herman, O. Jylhä, and M. Pessa, J. Cryst. Growth 66, 480 (1984).
  623. M. A. Herman, P. Juza, W. Faschinger, and H. Sitter, Cryst. Res. Technol. 23, 307 (1988).
  624. M. A. Herman, Thin Solid Films 267, 1 (1995).
  625. M. A. Herman, Vacuum 42, 61 (1991).
  626. M. A. Tischler and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 48, 1681 (1986).
  627. M. A. Tischler and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 49, 274 (1986).
  628. M. A. Tischler and S. M. Bedair, in Atomic layer epitaxy, edited by T. Suntola and M. Simpson (Blackie and Son, London, 1990), pp. 110­154.
  629. M. A. Tischler and S. M. Bedair, J. Cryst. Growth 77, 89 (1986).
  630. M. A. Tischler, N. G. Anderson, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 49, 1199 (1986).
  631. M. Ahonen, M. Pessa, and T. Suntola, Thin Solid Films 65, 301 (1980).
  632. M. Aït-Lhouss, J. L. Castaño, B. J. García, and J. Piqueras, J. Appl. Phys. 78, 5834 (1995).
  633. M. Akamatsu, S. Narahara, T. Kobayashi, and F. Hasegawa, Appl. Surf. Sci. 82/83, 228 (1994).
  634. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63 , 3470 (1993).
  635. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 60, 2917 (1992).
  636. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, R. A. Skogman, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 61, 2539 (1992).
  637. M. Asif Khan, R. A. Skogman, J. M. Van Hove, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 60, 1366 (1992).
  638. M. Cassir, F. Goubina, C. Bernay, P. Vernoux, and D. Lincot, Appl. Surf. Sci. 193, 120 (2002).
  639. M. Cho, D. S. Jeong, J. Park, H. B. Park, S. W. Lee, T. J. Park, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 85, 5953 (2004).
  640. M. Cho, H. B. Park, J. Park, S. W. Lee, C. S. Hwanga, G. H. Jang, and J. Jeong, Appl. Phys. Lett. 83, 5503 (2003).
  641. M. Cho, J. Park, H. B. Park, C. S. Hwang, J. Jeong, and K. S. Hyun, Appl. Phys. Lett. 81, 334 (2002).
  642. M. Copel, M. Gribelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000).
  643. M. D. Bhise, B. Sanders, N. Dalacu, and A. H. Kitai, J. Mater. Sci. 24, 3164 (1989).
  644. M. D. Groner, F. H. Fabreguette, J. W. Elam, and S. M. George, Chem. Mater. 16, 639 (2004).
  645. M. D. Groner, J. W. Elam, F. H. Fabreguette, and S. M. George, Thin Solid Films 413, 186 (2002).
  646. M. D. Halls and K. Raghavachari, J. Chem. Phys. 118, 10221 (2003).
  647. M. D. Halls and K. Raghavachari, J. Phys. Chem. A 108, 2982 (2004).
  648. M. D. Halls and K. Raghavachari, J. Phys. Chem. B 108, 4058 (2004).
  649. M. D. Halls, K. Raghavachari, M. M. Frank, and Y. J. Chabal, Phys. Rev. B 68, 161302 (2003).
  650. M. de Keijser and C. van Opdorp, Appl. Phys. Lett. 58, 1187 (1991).
  651. M. de Ridder, P. C. van de Ven, R. G. van Welzenis, H. H. Brongersma, S. Helfensteyn, C. Creemers, P. Van Der Voort, M. Baltes, M. Mathieu, and E. F. Vansant, J. Phys. Chem. B 106 , 13146 (2002).
  652. M. Deminsky, A. Knizhnik, I. Belov, S. Umanskii, E. Rykova, A. Bagatur'yants, B. Potapkin, M. Stoker, and A. Korkin, Surf. Sci. 549, 67 (2004).
  653. M. E. Bartram, T. A. Michalske, and J. W. Rogers, Jr., J. Phys. Chem. 95, 4453 (1991).
  654. M. E. Bartram, T. A. Michalske, J. W. Rogers, Jr., and R. T. Paine, Chem. Mater. 5, 1424 (1993).
  655. M. García-Rocha and I. Hernández-Calderón, Surf. Rev. Lett. 9 , 1667 (2002).
  656. M. Han, Y. Luo, J. E. Moryl, and R. M. Osgood, Jr., Surf. Sci. 425 , 259 (1999).
  657. M. Han, Y. Luo, J. E. Moryl, R. M. Osgood, Jr., and J. G. Chen, Surf. Sci. 415, 251 (1998).
  658. M. Hashemi, J. Ramdani, B. T. McDermott, K. Reid, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 56, 964 (1990).
  659. M. Ishida, M. Yamashita, Y. Nagata, and Y. Suda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 4011 (1996).
  660. M. Ishii, S. Iwai, H. Kawata, T. Ueki, and Y. Aoyagi, J. Cryst. Growth 180, 15 (1997).
  661. M. Ishii, S. Iwai, T. Ueki, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 71, 1044 (1997).
  662. M. Ishii, S. Iwai, T. Ueki, and Y. Aoyagi, Thin Solid Films 318, 6 (1998).
  663. M. Ishizaki, N. Kano, J. Yoshino, and H. Kukimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L435 (1991).
  664. M. Ishizaki, N. Kano, J. Yoshino, and H. Kukimoto, Thin Solid Films 225, 74 (1993).
  665. M. J. Calhorda, L. F. Veiros, and L. Niinistö, Acta Chem. Scand. 50 , 862 (1996).
  666. M. Juppo, A. Rahtu, and M. Ritala, Chem. Mater. 14, 281 (2002).
  667. M. Juppo, A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskelä, Langmuir 16, 4034 (2000).
  668. M. Juppo, Doctoral thesis, University of Helsinki, Finland (2001).
  669. M. Juppo, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 147, 3377 (2000).
  670. M. Juppo, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Vac. Sci. Technol., A 15 , 2330 (1997).
  671. M. Juppo, M. Vehkamäki, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Vac. Sci. Technol., A 16, 2845 (1998).
  672. M. Juppo, P. Alén, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskelä, Electrochem. Solid-State Lett. 5, C4 (2002).
  673. M. K. Gobbert, S. G. Webster, and T. S. Cale, J. Electrochem. Soc. 149, G461 (2002).
  674. M. K. Gobbert, V. Prasad, and T. S. Cale, J. Vac. Sci. Technol., B 20, 1031 (2002).
  675. M. K. Gobbert, V. Prasad, and T. S. Cale, Thin Solid Films 410, 129 (2002).
  676. M. Kang, J.-S. Lee, S.-K. Sim, B. Min, K. Cho, H. Kim, M.-Y. Sung, S. Kim, S. A. Song, and M.-S. Lee, Thin Solid Films 466, 265 (2004).
  677. M. Konagai, Y. Takemura, K. Yamasaki, and K. Takahashi, Thin Solid Films 225, 256 (1993).
  678. M. Kröger-Laukkanen, M. Peussa, M. Leskelä, and L. Niinistö, Appl. Surf. Sci. 183, 290 (2002).
  679. M. L. Green, M. Y. Ho, B. Busch, G. D. Wilk, T. Sorsch, T. Conard, B. Brijs, W. Vandervorst, P. I. Räisanen, D. Muller, et al., J. Appl. Phys. 92, 7168 (2002).
  680. M. L. Yu, J. Appl. Phys. 73, 716 (1993).
  681. M. L. Yu, Thin Solid Films 225, 7 (1993).
  682. M. L. Yu, U. Memmert, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 55, 1011 (1989).
  683. M. Lashdaf, T. Hatanpää, A. O. I. Krause, J. Lahtinen, M. Lind- blad, and M. Tiitta, Appl. Catal., A. 241, 51 (2003).
  684. M. Leskelä and L. Niinistö, in Atomic layer epitaxy, edited by T. Suntola and M. Simpson (Blackie and Son, London, 1990), pp. 1­39.
  685. M. Leskelä and M. Ritala, Angew. Chem. Int. Ed. 42, 5548 (2003).
  686. M. Leskelä and M. Ritala, J. Phys. IV France 5, C5/937 (1995).
  687. M. Leskelä and M. Ritala, J. Phys. IV France 9, Pr8/837 (1999).
  688. M. Leskelä and M. Ritala, J. Solid State Chem. 171, 170 (2003).
  689. M. Leskelä and M. Ritala, Thin Solid Films 409, 138 (2002).
  690. M. Leskelä, Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Ser. 195, 67 (1990).
  691. M. Leskelä, L. Niinistö, E. Nykänen, P. Soininen, and M. Tiitta, Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Ser. 195, 193 (1990).
  692. M. Leskelä, L. Niinistö, P. Niemelä, E. Nykänen, P. Soininen, M. Tiitta, and J. Vähäkangas, Vacuum 41, 1457 (1990).
  693. M. Lindblad and A. Root, in Preparation of Catalysts VII. Pro- ceedings of the 7th International Symposium "Scientific Bases for the Preparation of Heterogeneous Catalysts," Louvain-la- Neuve, Belgium, September 1-4, 1998, edited by B. Delmon, P. A. Jacobs, R. Maggi, J. A. Martens, P. Grange, and G. Pon- celet (Elsevier, Amsterdam, 1998), vol. 118 of Stud. Surf. Sci. Catal., pp. 817­826.
  694. M. Lindblad and L. P. Lindfors, in Proceedings of the 10th In- ternational Congress on Catalysis: "New Frontiers in Cataly- sis", Budapest, Hungary, July 19-24, 1992, edited by L. Guczi (Elsevier, Amsterdam, 1993), vol. 75 of Stud. Surf. Sci. Catal., pp. 1763­1770.
  695. M. Lindblad and T. A. Pakkanen, J. Comput. Chem. 9, 581 (1988).
  696. M. Lindblad, L. P. Lindfors, and T. Suntola, Catal. Lett. 27, 323 (1994).
  697. M. Lindblad, S. Haukka, A. Kytökivi, E.-L. Lakomaa, A. Rauti- ainen, and T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 121/122, 286 (1997).
  698. M. M. Frank, Y. J. Chabal, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett. 82 , 4758 (2003).
  699. M. M. Frank, Y. J. Chabal, M. L. Green, A. Delabie, B. Brijs, G. D. Wilk, M.-Y. Ho, E. B. O. da Rosa, I. J. R. Baumvol, and F. C. Stedile, Appl. Phys. Lett. 83, 740 (2003).
  700. M. Mashita, M. Sasaki, Y. Kawakyu, and H. Ishikawa, J. Cryst. Growth 131, 61 (1993).
  701. M. Matsuyama, S. Sugahara, K. Ikeda, Y. Uchida, and M. Mat- sumura, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 2536 (2000).
  702. M. N. Tsvetkova, I. M. Yur'evskaya, A. A. Malygin, S. I. Kol'tsov, and Yu. I. Skorik, Zh. Prikl. Khim. 55, 256 (1982) [J. Appl. Chem. USSR 55, 229 (1982)].
  703. M. N. Tsvetkova, V. N. Pak, A. A. Malygin, and S. I. Kol'tsov, Neorg. Mater. 20, 144 (1984) [Inorg. Mater. 20, 121 (1984)].
  704. M. Nagano, S. Iwai, K. Nemoto, and Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl.
  705. M. Nieminen and L. Niinistö, Fresenius J. Anal. Chem. 364, 224 (1999).
  706. M. Nieminen, L. Niinistö, and E. Rauhala, J. Mater. Chem. 6, 27 (1996).
  707. M. Nieminen, L. Niinistö, and R. Lappalainen, Microchim. Acta 119, 13 (1995).
  708. M. Nieminen, M. Putkonen, and L. Niinistö, Appl. Surf. Sci. 174 , 155 (2001).
  709. M. Oikkonen, J. Appl. Phys. 62, 1385 (1987).
  710. M. Oikkonen, M. Blomberg, T. Tuomi, and M. Tammenmaa, Thin Solid Films 124, 317 (1985).
  711. M. Oikkonen, M. Tammenmaa, and M. Asplund, Mater. Res. Bull. 23, 133 (1988).
  712. M. Oikkonen, T. Tuomi, and M. Luomajärvi, J. Appl. Phys. 63, 1070 (1988).
  713. M. Ozeki and N. Ohtsuka, Appl. Surf. Sci. 82/83, 233 (1994).
  714. M. Ozeki, K. Mochizuki, N. Ohtsuka, and K. Kodama, Appl. Phys. Lett. 53, 1509 (1988).
  715. M. Ozeki, K. Mochizuki, N. Ohtsuka, and K. Kodama, J. Vac. Sci. Technol., B 5, 1184 (1987).
  716. M. Ozeki, K. Mochizuki, N. Ohtsuka, and K. Kodama, Thin Solid Films 174, 63 (1989).
  717. M. Ozeki, Mater. Sci. Rep. 8, 97 (1992).
  718. M. Pessa and O. Jylhä, Appl. Phys. Lett. 45, 646 (1984).
  719. M. Pessa, O. Jylhä, and M. A. Herman, J. Cryst. Growth 67, 255 (1984).
  720. M. Pessa, O. Jylhä, P. Huttunen, and M. A. Herman, J. Vac. Sci. Technol., A 2, 418 (1984).
  721. M. Pessa, P. Huttunen, and M. A. Herman, J. Appl. Phys. 54, 6047 (1983).
  722. M. Pessa, R. Mäkelä, and T. Suntola, Appl. Phys. Lett. 38, 131 (1981).
  723. M. Petersen, Comput. Mater. Sci. 30, 77 (2004).
  724. M. Putkonen and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 11, 3141 (2001).
  725. M. Putkonen, J. Niinistö, K. Kukli, T. Sajavaara, M. Karppinen, H. Yamauchi, and L. Niinistö, Chem. Vap. Deposition 9, 207 (2003).
  726. M. Putkonen, L.-S. Johansson, E. Rauhala, and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 9, 2449 (1999).
  727. M. Putkonen, M. Nieminen, and L. Niinistö, Thin Solid Films 466 , 103 (2004).
  728. M. Putkonen, M. Nieminen, J. Niinistö, and L. Niinistö, Chem. Mater. 13, 4701 (2001).
  729. M. Putkonen, T. Sajavaara, and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 10, 1857 (2000).
  730. M. Putkonen, T. Sajavaara, L.-S. Johansson, and L. Niinistö, Chem. Vap. Deposition 7, 44 (2001).
  731. M. Ritala and M. Leskelä, Appl. Surf. Sci. 75, 333 (1994).
  732. M. Ritala and M. Leskelä, in Handbook of Thin Film Materi- als, edited by H. S. Nalwa (Academic Press, San Diego, 2002), vol. 1, pp. 103­159.
  733. M. Ritala and M. Leskelä, Nanotechnology 10, 19 (1999).
  734. M. Ritala and M. Leskelä, Thin Solid Films 225, 288 (1993).
  735. M. Ritala, A. Rahtu, M. Leskelä, and K. Kukli, patent US6632279, 14 October 2003 (filed 13 October 2000), ASM Microchemistry Oy.
  736. M. Ritala, Appl. Surf. Sci. 112, 223 (1997).
  737. M. Ritala, H. Saloniemi, M. Leskelä, T. Prohaska, G. Fried- bacher, and M. Grassenbauer, Thin Solid Films 286, 54 (1996).
  738. M. Ritala, in High-k Gate Dielectrics, edited by M. Houssa (IOP Publishing, London, 2004), pp. 17­64.
  739. M. Ritala, K. Kukli, A. Rahtu, P. I. Räisänen, M. Leskelä, T. Sa- javaara, and J. Keinonen, Science 288, 319 (2000).
  740. M. Ritala, M. Juppo, K. Kukli, A. Rahtu, and M. Leskelä, J. Phys. IV 9, Pr8/1021 (1999).
  741. M. Ritala, M. Leskelä, and E. Rauhala, Chem. Mater. 6, 556 (1994).
  742. M. Ritala, M. Leskelä, E. Rauhala, and J. Jokinen, J. Elec- trochem. Soc. 145, 2914 (1998).
  743. M. Ritala, M. Leskelä, E. Rauhala, and P. Haussalo, J. Elec- trochem. Soc. 142, 2731 (1995).
  744. M. Ritala, M. Leskelä, J.-P. Dekker, C. Mutsaers, P. J. Soininen, and J. Skarp, Chem. Vap. Deposition 5, 7 (1999).
  745. M. Ritala, M. Leskelä, L. Niinistö, and P. Haussalo, Chem. Mater. 5, 1174 (1993).
  746. M. Ritala, M. Leskelä, L. Niinistö, T. Prohaska, G. Friedbacher, and M. Grassenbauer, Thin Solid Films 250, 72 (1994).
  747. M. Ritala, M. Leskelä, L.-S. Johansson, and L. Niinistö, Thin Solid Films 228, 32 (1993).
  748. M. Ritala, P. Kalsi, D. Riihelä, K. Kukli, M. Leskelä, and J. Jokinen, Chem. Mater. 11, 1712 (1999).
  749. M. Ritala, T. Asikainen, and M. Leskelä, Electrochem. Solid State Lett. 1, 156 (1997).
  750. M. Ritala, T. Asikainen, M. Leskelä, J. Jokinen, R. Lappalainen, M. Utriainen, L. Niinistö, and E. Ristolainen, Appl. Surf. Sci. 120 , 199 (1997).
  751. M. S. Kim, S. A. Rogers, Y. S. Kim, J. H. Lee, and H. K. Kang, J. Korean Phys. Soc. 45, 1317 (2004).
  752. M. S. Sander, M. J. C^oté, W. Gu, B. M. Kile, and C. P. Tripp, Adv. Mater. 16, 2052 (2004).
  753. M. Sakuraba, J. Murota, N. Mikoshiba, and S. Ono, J. Cryst. Growth 115, 79 (1991).
  754. M. Sakuraba, J. Murota, T. Watanabe, Y. Sawada, and S. Ono, Appl. Surf. Sci. 82/83, 354 (1994).
  755. M. Sasaki, Y. Kawakyu, H. Ishikawa, and M. Mashita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1313 (1992).
  756. M. Schuisky, A. Hårsta, A. Aidla, K. Kukli, A.-A. Kiisler, and J. Aarik, J. Electrochem. Soc. 147, 3319 (2000).
  757. M. Schuisky, J. Aarik, K. Kukli, A. Aidla, and A. Hårsta, Lang- muir 17, 5508 (2001).
  758. M. Schuisky, J. W. Elam, and S. M. George, Appl. Phys. Lett. 81 , 180 (2002).
  759. M. Schuisky, K. Kukli, J. Aarik, J. Lu, and A. Hårsta, J. Cryst. Growth 235, 293 (2002).
  760. M. Siodmiak, G. Frenking, and A. Korkin, J. Phys. Chem. A 104 , 1186 (2000).
  761. M. Tammenmaa, H. Antson, M. Asplund, L. Hiltunen, M. Leskelä, L. Niinistö, and E. Ristolainen, J. Cryst. Growth 84 , 151 (1987).
  762. M. Tammenmaa, T. Koskinen, L. Hiltunen, L. Niinistö, and M. Leskelä, Thin Solid Films 124, 125 (1985).
  763. M. Tiitta, E. Nykänen, P. Soininen, L. Niinistö, M. Leskelä, and R. Lappalainen, Mater. Res. Bull. 33, 1315 (1998).
  764. M. Utriainen, H. Lattu, H. Viirola, L. Niinistö, R. Resch, and G. Friedbacher, Mikrochim. Acta 133, 119 (2000).
  765. M. Utriainen, K. Kovács, J. M. Campbell, L. Niinistö, and F. Réti, J. Electrochem. Soc. 146, 189 (1999).
  766. M. Utriainen, L. Niinistö, and R. Matero, Appl. Phys. A 68, 339 (1999).
  767. M. Utriainen, M. Kröger-Laukkanen, and L. Niinistö, Mater. Sci. Eng., B 54, 98 (1998).
  768. M. Utriainen, M. Kröger-Laukkanen, L.-S. Johansson, and L. Niinistö, Appl. Surf. Sci. 157, 151 (2000).
  769. M. Utriainen, S. Lehto, L. Niinistö, C. Düsco, N. Q. Khanh, Z. E. Horváth, I. Bársony, and B. Pécz, Thin Solid Films 297, 39 (1997).
  770. M. Vehkamäki, T. Hatanpää, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Mater. Chem. 14, 3191 (2004).
  771. M. Vehkamäki, T. Hänninen, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sa- javaara, E. Rauhala, and J. Keinonen, Chem. Vap. Deposition 7 , 75 (2001).
  772. M. Y. Jow, B. Y. Maa, T. Morishita, and P. D. Dapkus, J. Elec- tron. Mater. 24, 25 (1995).
  773. M. Y. Shen, T. Goto, E. Kurtz, Z. Zhu, and T. Yao, J. Phys.: Condens. Matter 10, L171 (1998).
  774. M. Ylilammi and T. Ranta-aho, J. Electrochem. Soc. 141, 1278 (1994).
  775. M. Ylilammi, J. Electrochem. Soc. 142, 2474 (1995).
  776. M. Ylilammi, Thin Solid Films 279, 124 (1996).
  777. M. Yokoyama and N.-T. Chen, J. Cryst. Growth 223, 369 (2001).
  778. M. Yokoyama, J. Korean Phys. Soc. 35, S71 (1999).
  779. M. Yokoyama, N. T. Chen, and H. Y. Ueng, J. Cryst. Growth 212 , 97 (2000).
  780. M. Yoshimoto, A. Kajimoto, and H. Matsunami, Thin Solid Films 225, 70 (1993).
  781. M. Yoshioka, J. Electron. Mater. 32, 1107 (2003).
  782. M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, S. W. Nahm, D.- H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee, and K. Fujihara, Appl. Phys. Lett. 81 , 472 (2002).
  783. M.-Y. Ho, H. Gong, G. D. Wilk, B. W. Busch, M. L. Green, P. M. Voyles, D. A. Muller, M. Bude, W. H. Lin, A. See, et al., J. Appl. Phys. 93, 1477 (2003).
  784. N. A. Stepanova, V. D. Kupriyanov, and A. A. Malygin, Neorg. Mater. 23, 377 (1987) [Inorg. Mater. 23, 331 (1987)].
  785. N. A. Stepanova, V. M. Smirnov, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 50, 465 (1977) [J. Appl. Chem. USSR 50, 450 (1977)].
  786. N. D. Hoivik, J. W. Elam, R. J. Linderman, V. M. Bright, S. M. George, and Y. C. Lee, Sens. Actuators, A 103, 100 (2003).
  787. N. Govind, M. Petersen, G. Fitzgerald, D. King-Smith, and J. Andzelm, Comput. Mater. Sci. 28, 250 (2003).
  788. N. H. Karam, R. G. Wolfson, I. B. Bhat, H. Ehsani, and S. K. Gandhi, Thin Solid Films 225, 261 (1993).
  789. N. H. Karam, T. Parodos, P. Colter, D. McNulty, W. Rowland, J. Schetzina, N. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 67 , 94 (1995).
  790. N. Hayafuji, G. M. Eldallal, A. Dip, P. C. Colter, N. A. El- Masry, and S. M. Bedair, Appl. Surf. Sci. 82/83, 18 (1994).
  791. N. J. Mason, in Atomic layer epitaxy, edited by T. Suntola and M. Simpson (Blackie and Son, London, 1990), pp. 63­109.
  792. N. Kano, S. Hirose, K. Hara, J. Yoshino, H. Munekata, and H. Kukimoto, Appl. Phys. Lett. 65, 1115 (1994).
  793. N. Kano, S. Hirose, K. Hara, J. Yoshino, H. Munekata, and H. Kukimoto, Appl. Surf. Sci. 82/83, 132 (1994).
  794. N. Kobayashi and Y. Kobayashi, Thin Solid Films 225, 32 (1993).
  795. N. Naghavi, R. Henriquez, V. Laptev, and D. Lincot, App. Surf. Sci. 222, 65 (2004).
  796. N. Naghavi, S. Spiering, M. Powalla, B. Cavana, and D. Lincot, Prog. Photovolt. 11, 437 (2003).
  797. N. Ohtsuka, K. Kitahara, M. Ozeki, and K. Kodama, J. Cryst. Growth 99, 346 (1990).
  798. N. Otsuka, J. Nishizawa, H. Kikuchi, and Y. Oyama, J. Cryst. Growth 205, 253 (1999).
  799. N. Otsuka, J. Nishizawa, H. Kikuchi, and Y. Oyama, J. Cryst. Growth 209, 252 (2000).
  800. N. Otsuka, J. Nishizawa, H. Kikuchi, and Y. Oyama, J. Vac. Sci. Technol., A 17, 3008 (1999).
  801. N. Pan, J. Carter, S. Hein, D. Howe, L. Goldman, L. Kupfer- berg, S. Brierley, and K. C. Hsieh, Thin Solid Films 225, 64 (1993).
  802. N. Takahashi, N. Yoshii, S. Nonobe, T. Nakamura, and
  803. N. Takahashi, S. Nonobe, and T. Nakamura, J. Solid State Chem. 177, 3944 (2004).
  804. N. V. Dolgushev, A. A. Malkov, A. A. Malygin, S. A. Suvorov, A. V. Shchukarev, A. V. Beljaev, and V. A. Bykov, Thin Solid Films 293, 91 (1997).
  805. N. V. Dolgushev, A. A. Malkov, A. A. Malygin, S. A. Suvorov, A. V. Shchukarev, A. V. Beljaev, and V. A. Bykov, Zh. Prikl. Khim. 65, 1117 (1992) [J. Appl. Chem. USSR 65, 921 (1992)].
  806. N. Yoshii, N. Takahashi, T. Nakamura, and M. Yoshioka, Elec- trochem. Solid-State Lett. 5, C85 (2002).
  807. O. Nilsen, H. Fjellvåg, and A. Kjekshus, Thin Solid Films 444, 44 (2003).
  808. O. Nilsen, H. Fjellvåg, and A. Kjekshus, Thin Solid Films 450, 240 (2004).
  809. O. Nilsen, M. Lie, S. Foss, H. Fjellvåg, and A. Kjekshus, Appl. Surf. Sci. 227, 40 (2004).
  810. O. Nilsen, M. Peussa, H. Fjellvåg, L. Niinistö, and A. Kjekshus, J. Mater. Chem. 9, 1781 (1999).
  811. O. Nilsen, S. Foss, H. Fjellvåg, and A. Kjekshus, Thin Solid Films 468, 65 (2004).
  812. O. Sneh, M. L. Wise, A. W. Ott, L. A. Okada, and S. M. George, Surf. Sci. 334, 135 (1995).
  813. O. Sneh, R. B. Clark-Phelps, A. R. Londergan, J. Winkler, and T. E. Seidel, Thin Solid Films 402, 248 (2002).
  814. O. Ueda, K. Kitahara, N. Ohtsuka, A. Hobbs, and M. Ozeki, J. Cryst. Growth 115, 133 (1991).
  815. O. van der Straten, Y. Zhu, K. Dunn, E. T. Eisenbraun, and A. E. Kaloyeros, J. Mater. Res. 19, 447 (2004).
  816. O.-K. Kwon, J.-H. Kim, H.-S. Park, and S.-W. Kang, J. Elec- trochem. Soc. 151, G109 (2004).
  817. O.-K. Kwon, S.-H. Kwon, H.-S. Park, and S.-W. Kang, Elec- trochem. Solid-State Lett. 7, C46 (2004).
  818. O.-K. Kwon, S.-H. Kwon, H.-S. Park, and S.-W. Kang, J. Elec- trochem. Soc. 151, C753 (2004).
  819. P. A. Coon, M. L. Wise, A. C. Dillon, M. B. Robinson, and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol., B 10, 221 (1992).
  820. P. Alén, M. Juppo, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, and J. Keinonen, J. Mater. Res. 17, 107 (2002).
  821. P. Boher, C. Defranoux, P. Heinrich, J. Wolstenholme, and H. Bender, Mater. Sci. Eng., B 109, 64 (2004).
  822. P. D. Dapkus, S. P. DenBaars, Q. Chen, W. G. Jeong, and B. Y. Maa, Prog. Cryst. Growth. Charact. Mater. 19, 137 (1989).
  823. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, S. N. G. Chu, S. Naka- hara, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Hong, K. K. Ng, et al., Appl. Phys. Lett. 83, 180 (2003).
  824. P. E. Thompson, J. L. Davis, J. Waterman, R. J. Wagner, D. Gammon, D. K. Gaskill, and R. Stahlbush, J. Appl. Phys. 69 , 7166 (1991).
  825. P. Ericsson, S. Bengtsson, and J. Skarp, Microelectr. Eng. 36, 91 (1997).
  826. P. Hirva and T. Pakkanen, Surf. Sci. 220, 137 (1989).
  827. P. I. Räisänen, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Mater. Chem. 12, 1415 (2002).
  828. P. J. Kooyman, P. van der Waal, P. A. J. Verdaasdonk, K. C. Jansen, and H. van Bekkum, Catal. Lett. 13, 229 (1992).
  829. P. Juza, W. Faschinger, and H. Sitter, Microchim. Acta 107, 265 (1992).
  830. P. M. Vainshtein and Yu. K. Ezhovskii, Zh. Prikl. Khim. 71, 227 (1998) [Russ. J. Appl. Chem. 71, 235 (1998)].
  831. P. Mårtensson and J.-O. Carlsson, Chem. Vap. Deposition 3, 45 (1997).
  832. P. Mårtensson and J.-O. Carlsson, J. Electrochem. Soc. 145, 2926 (1998).
  833. P. Mårtensson, K. Larsson, and J.-O. Carlsson, Appl. Surf. Sci. 136 , 137 (1998).
  834. P. Mårtensson, K. Larsson, and J.-O. Carlsson, Appl. Surf. Sci. 148 , 9 (1999).
  835. P. Mårtensson, K. Larsson, and J.-O. Carlsson, Appl. Surf. Sci. 157 , 92 (2000).
  836. P. Mårtensson, M. Juppo, M. Ritala, M. Leskelä, and J.-O. Carlsson, J. Vac. Sci. Technol., B 17, 2122 (1999).
  837. P. Mäki-Arvela, L. P. Tiainen, M. Lindblad, K. Demirkan, R. S. N. Kumar, T. Ollonqvist, J. Väyrynen, T. Salmi, and D. Yu. Murzin, Appl. Catal., A 241, 271 (2003).
  838. P. S. Lysaght, J. J. Peterson, B. Foran, C. D. Young, G. Bersuker, and H. R. Huff, Mater. Sci. Semicond. Process. 7, 259 (2004).
  839. P. Soininen, E. Nykänen, L. Niinistö, and M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 2, 69 (1996).
  840. P. Soininen, L. Niinistö, E. Nykänen, and M. Leskelä, Appl. Surf. Sci. 75, 99 (1994).
  841. P. Tägtström, P. Mårtensson, U. Jansson, and J.-O. Carlsson, J. Electrochem. Soc. 146, 3139 (1999).
  842. P. Yeo, R. Arès, S. P. Watkins, G. A. Horley, P. O'Brien, and A. C. Jones, J. Electron. Mater. 26, 1174 (1997).
  843. Phys., Part 2 33, L1289 (1994).
  844. Q. Chen and P. D. Dapkus, Thin Solid Films 225, 115 (1993).
  845. Q. Chen, C. A. Beyler, P. D. Dapkus, J. J. Alwan, and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett. 60, 2418 (1992).
  846. R. A. Bisengaliev, B. V. Novikov, V. B. Aleskovskii, V. E. Drozd, D. A. Ageev, V. I. Gubaidullin, and A. P. Savchenko, Fiz. Tverd. Tela 40, 820 (1998) [Phys. Solid State 40, 754 (1998)].
  847. R. Anwander, C. Palm, O. Groeger, and G. Engelhardt, Organometallics 17, 2027 (1998).
  848. R. Arès, J. Hu, P. Yeo, and S. P. Watkins, J. Cryst. Growth 195, 234 (1998).
  849. R. Chen, H. Kim, P. C. McIntyre, and S. F. Bent, Chem. Mater. 17 , 536 (2005).
  850. R. G. Gordon, D. Hausmann, E. Kim, and J. Shepard, Chem. Vap. Deposition 9, 73 (2003).
  851. R. G. Gordon, J. Becker, D. Hausmann, and S. Suh, Chem. Mater. 13, 2463 (2001).
  852. R. G. van Welzenis, R. A. M. Bink, and H. H. Brongersma, Appl. Surf. Sci. 107, 255 (1996).
  853. R. G. Vitchev, J. J. Pireaux, T. Conard, H. Bender, J. Wolsten- holme, and C. Defranoux, Appl. Surf. Sci. 235, 21 (2004).
  854. R. Haugsru, A. E. Gunnaes, and O. Nilsen, Oxid. Met. 59, 215 (2003).
  855. R. Huang and A. H. Kitai, Appl. Phys. Lett. 61, 1450 (1992).
  856. R. Huang and A. H. Kitai, J. Electron. Mater. 22, 215 (1993).
  857. R. Huang and A. H. Kitai, J. Mater. Sci. Lett. 12, 1444 (1993).
  858. R. J. Peglar, F. H. Hambleton, and J. A. Hockey, J. Catal. 20, 309 (1971).
  859. R. K. Grubbs, C. E. Nelson, N. J. Steinmetz, and S. M. George, Thin Solid Films 467, 16 (2004).
  860. R. K. Grubbs, N. J. Steinmetz, and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol., B 22, 1811 (2004).
  861. R. Kimura, M. Konagai, and K. Takahashi, J. Cryst. Growth 116 , 283 (1992).
  862. R. Kobayashi, J. Cryst. Growth 113, 491 (1991).
  863. R. Kobayashi, K. Ishikawa, S. Narahara, and F. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1730 (1992).
  864. R. Kobayashi, S. Narahara, K. Ishikawa, and F. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L164 (1993).
  865. R. Kuse, M. Kundu, T. Yasuda, N. Miyata, and A. Toriumi, J. Appl. Phys. 94, 6411 (2003).
  866. R. L. Puurunen and W. Vandervorst, J. Appl. Phys. 96, 7686 (2004).
  867. R. L. Puurunen, A. Delabie, S. Van Elshocht, M. Caymax, M. L. Green, B. Brijs, O. Richard, H. Bender, T. Conard, I. Hoflijk, et al., Appl. Phys. Lett. 86, 073116 (2005).
  868. R. L. Puurunen, A. Root, P. Sarv, M. M. Viitanen, H. H. Brongersma, M. Lindblad, and A. O. I. Krause, Chem. Mater. 14 , 720 (2002).
  869. R. L. Puurunen, A. Root, P. Sarv, S. Haukka, E. I. Iiskola, M. Lindblad, and A. O. I. Krause, Appl. Surf. Sci. 165, 193 (2000).
  870. R. L. Puurunen, A. Root, S. Haukka, E. I. Iiskola, M. Lindblad, and A. O. I. Krause, J. Phys. Chem. B 104, 6599 (2000).
  871. R. L. Puurunen, Appl. Surf. Sci. (2005), in press.
  872. R. L. Puurunen, Chem. Vap. Deposition 10, 159 (2004).
  873. R. L. Puurunen, Chem. Vap. Deposition 9, 249 (2003).
  874. R. L. Puurunen, Chem. Vap. Deposition 9, 327 (2003).
  875. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 95, 4777 (2004).
  876. R. L. Puurunen, M. Lindblad, A. Root, and A. O. I. Krause, Phys. Chem. Chem. Phys. 3, 1093 (2001).
  877. R. L. Puurunen, S. M. K. Airaksinen, and A. O. I. Krause, J. Catal. 213, 281 (2003).
  878. R. L. Puurunen, T. A. Zeelie, and A. O. I. Krause, Catal. Lett. 83 , 27 (2002).
  879. R. L. Puurunen, W. Vandervorst, W. F. A. Besling, O. Richard, H. Bender, T. Conard, C. Zhao, A. Delabie, M. Caymax, S. De Gendt, et al., J. Appl. Phys. 96, 4878 (2004).
  880. R. Lappalainen, M. Karjalainen, R. Serimaa, S. Sevanto, and M. Leskelä, J. Appl. Phys. 87, 1153 (2000).
  881. R. Leboda, V. M. Gunko, M. Marciniak, A. A. Malygin, A. A. Malkin, W. Grzegorczyk, B. J. Trznadel, E. M. Pakhlov, and E. F. Voronin, J. Colloid Interface Sci. 218, 23 (1999).
  882. R. M. C. de Almeida and I. J. R. Baumvol, Surf. Sci. Rep. 49, 1 (2003).
  883. R. M. Costescu, D. G. Cahill, F. H. Fabreguette, Z. A. Sechrist, and S. M. George, Science 303, 989 (2004).
  884. R. M. Emerson, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, Appl. Phys. Lett. 65 , 1103 (1994).
  885. R. M. Wallace and G. D. Wilk, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 28 , 231 (2003).
  886. R. Matero, A. Rahtu, and M. Ritala, Chem. Mater. 13, 4506 (2001).
  887. R. Matero, A. Rahtu, M. Ritala, M. Leskelä, and T. Sajavaara, Thin Solid Films 368, 1 (2000).
  888. R. Matero, Doctoral thesis, University of Helsinki, Finland (2004).
  889. R. Matero, M. Ritala, M. Leskelä, A. C. Jones, P. A. Williams, J. F. Bickley, A. Steiner, T. J. Leedham, and H. O. Davies, J. Non-Cryst. Solids 303, 24 (2002).
  890. R. Matero, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, A. C. Jones, and J. L. Roberts, Chem. Mater. 16, 5630 (2004).
  891. R. Matero, M. Ritala, M. Leskelä, T. Salo, J. Aromaa, and O. Forsén, J. Phys. IV France 9, Pr8/493 (1999).
  892. R. Puurunen, Doctoral thesis, Helsinki University of Tech- nology, Espoo, Finland (2002), http://lib.hut.fi/Diss/2002/- isbn9512261421/.
  893. R. R. Rachkovskii, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Neorg. Khim. 15, 3158 (1970) [Russ. J. Inorg. Chem. 15, 1646 (1970)].
  894. R. Solanki and B. Pathangey, Electrochem. Solid-State Lett. 3, 479 (2000).
  895. R. T. Brewer, M.-T. Ho, K. Z. Zhang, L. V. Goncharova, D. G. Starodub, T. Gustafsson, Y. J. Chabal, and N. Moumen, Appl. Phys. Lett. 85, 3830 (2004).
  896. S. A. Morozov, A. A. Malkov, and A. A. Malygin, Zh. Prikl. Khim. 76, 9 (2003) [Russ. J. Appl. Chem. 76, 7 (2003)].
  897. S. A. Trifonov, V. A. Lapikov, and A. A. Malygin, Zh. Prikl. Khim. 75, 986 (2002) [Russ. J. Appl. Chem. 75, 969 (2002)].
  898. S. B. Desu, Mater. Sci. Eng., B 13, 299 (1992).
  899. S. Chaisitsak, T. Sugiyama, A. Yamada, and M. Konagai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 4989 (1999).
  900. S. Choi, J. Koo, H. Jeon, and Y. Kim, J. Korean Phys. Soc. 44, 35 (2004).
  901. S. D. Elliott and H. P. Pinto, J. Electroceram. 13, 117 (2004).
  902. S. D. Elliott and J. C. Greer, J. Mater. Chem. 14, 3246 (2004).
  903. S. Dakshinamurthy and I. Bhat, J. Electron. Mater. 27, 521 (1998).
  904. S. Dey and S. J. Yun, Appl. Surf. Sci. 143, 191 (1999).
  905. S. Dosho, Y. Takemura, M. Konagai, and K. Takahashi, J. Cryst. Growth 95, 580 (1989).
  906. S. Due~nas, H. Castán, H. García, J. Barbolla, K. Kukli, M. Ri- tala, and M. Leskelä, Thin Solid Films 474, 222 (2005).
  907. S. F. Komarov, J. J. Lee, J. B. Hudson, and M. P. D'Evelyn, Diamond Relat. Mater. 7, 1087 (1998).
  908. S. Ferrari, M. Modreanu, G. Scarel, and M. Fanciulli, Thin Solid Films 450, 124 (2004).
  909. S. G. Park and D.-H. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 303 (2004).
  910. S. Hara, T. Meguro, Y. Aoyagi, and M. Kawai, Thin Solid Films 225 , 240 (1993).
  911. S. Hara, Y. Aoyagi, M. Kawai, S. Misakawa, E. Sakuma, and S. Yoshida, Surf. Sci. 273, 437 (1992).
  912. S. Haukka and A. Root, J. Phys. Chem. 98, 1695 (1994).
  913. S. Haukka and T. Suntola, Interface Sci. 75, 119 (1997).
  914. S. Haukka, A. Kytökivi, E.-L. Lakomaa, U. Lehtovirta, M. Lindblad, V. Lujala, and T. Suntola, in Preparation of Cata- lysts VI. Proceedings of the 6th International Symposium "Sci- entific Bases for the Preparation of Heterogeneous Catalysts," Louvain-la-Neuve, Belgium, September 5-8, 1994, edited by G. Poncelet, J. Martens, B. Delmon, P. A. Jacobs, and P. Grange (Elsevier, Amsterdam, 1995), vol. 91 of Stud. Surf. Sci. Catal., pp. 957­966.
  915. S. Haukka, E.-L. Lakomaa, and A. Root, J. Phys. Chem. 97, 5085 (1993).
  916. S. Haukka, E.-L. Lakomaa, and T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 75, 220 (1994).
  917. S. Haukka, E.-L. Lakomaa, and T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 82/83 , 548 (1994).
  918. S. Haukka, E.-L. Lakomaa, and T. Suntola, in Adsorption and its Applications in Industry and Environmental Protec- tion, edited by A. Dabrowski (Elsevier, Amsterdam, 1999), vol. 120A of Stud. Surf. Sci. Catal., pp. 715­750.
  919. S. Haukka, E.-L. Lakomaa, and T. Suntola, Thin Solid Films 225 , 280 (1993).
  920. S. Haukka, E.-L. Lakomaa, O. Jylhä, J. Vilhunen, and S. Hornytzkyj, Langmuir 9, 3497 (1993).
  921. S. Hirose, A. Yoshida, M. Yamaura, and H. Munekata, Appl. Phys. Lett. 74, 964 (1999).
  922. S. Hirose, A. Yoshida, M. Yamaura, N. Kano, and H. Munekata, J. Mater. Sci.-Mater. Electron. 11, 7 (2000).
  923. S. Hirose, H. Ibuka, A. Yoshida, N. Kano, K. Hara, H. Munekata, and H. Kukimoto, J. Cryst. Growth 208, 49 (2000).
  924. S. Hirose, M. Yamaura, A. Yoshida, H. Ibuka, K. Hara, and H. Munekata, J. Cryst. Growth 194, 16 (1998).
  925. S. Hirose, M. Yamaura, and H. Munekata, Appl. Surf. Sci. 150, 89 (1999).
  926. S. Hirose, N. Kano, K. Hara, H. Munekata, and H. Kukimoto, J. Cryst. Growth 172, 13 (1997).
  927. S. Hirose, N. Kano, M. Deura, K. Hara, H. Munekata, and H. Kukimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1436 (1995).
  928. S. I. Kol'tsov and G. N. Kuznetsova, Zh. Prikl. Khim. 72, 900 (1999) [Russ. J. Appl. Chem. 72, 942 (1999)].
  929. S. I. Kol'tsov and V. B. Aleskovskii, Zh. Fiz. Khim. 42, 1210 (1968) [Russ. J. Phys. Chem. 42, 630 (1968)].
  930. S. I. Kol'tsov and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 40, 907 (1967) [J. Appl. Chem. USSR 40, 872 (1967)].
  931. S. I. Kol'tsov, A. A. Malygin, and V. B. Aleskovskii, Zh. Fiz. Khim. 54, 2331 (1980) [Russ. J. Phys. Chem. 54, 2331 (1980)].
  932. S. I. Kol'tsov, A. N. Volkova, and V. B. Aleskovskii, Zh. Fiz. Kihm. 46, 1292 (1972) [Russ. J. Phys. Chem. 46, 742 (1972)].
  933. S. I. Kol'tsov, A. N. Volkova, and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 42, 1028 (1969) [J. Appl. Chem. USSR 42, 980 (1969)].
  934. S. I. Kol'tsov, G. N. Kuznetsova, and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 40, 2774 (1967) [J. Appl. Chem. USSR 40, 2644 (1967)].
  935. S. I. Kol'tsov, T. V. Tuz, and A. N. Volkova, Zh. Prikl. Khim. 52 , 2196 (1979) [J. Appl. Chem. USSR 52, 2074 (1979)].
  936. S. I. Kol'tsov, V. B. Aleskovskii, A. N. Volkova, and V. M. Smirnov, Zh. Prikl. Khim. 47, 1254 (1974) [J. Appl. Chem. USSR 47, 1292 (1974)].
  937. S. I. Kol'tsov, V. B. Aleskovskii, G. N. Kuznetsova, and N. G. Roslyakova, Neorg. Mater. 3, 1509 (1967) [Inorg. Mater. 3, 1318 (1967)].
  938. S. I. Kol'tsov, V. B. Kopylov, V. M. Smirnov, and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 49, 516 (1976) [J. Appl. Chem. USSR 49, 525 (1976)].
  939. S. I. Kol'tsov, V. E. Drozd, and V. B. Aleskovskii, Dokl. Akad. Nauk SSSR 229, 1145 (1976) [Dokl. Phys. Chem. 229, 718 (1976)].
  940. S. I. Kol'tsov, V. E. Drozd, T. A. Redova, and V. B. Aleskovskii, Dokl. Akad. Nauk SSSR 235, 1090 (1977) [Dokl. Phys. Chem. 235 , 794 (1977)].
  941. S. I. Kol'tsov, V. M. Smirnov, R. R. Rachkovskii, T. V. Malalaeva, and V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 51, 2596 (1978) [J. Appl. Chem. USSR 51, 2475 (1978)].
  942. S. I. Kol'tsov, Zh. Obshch. Khim. 71, 1616 (2001) [Russ. J. Gen. Chem. 71, 1531 (2001)].
  943. S. I. Kol'tsov, Zh. Prikl. Khim. 38, 1384 (1965) [J. Appl. Chem. USSR 38, 1352 (1965)].
  944. S. I. Kol'tsov, Zh. Prikl. Khim. 42, 1023 (1969) [J. Appl. Chem. USSR 42, 975 (1969)].
  945. S. I. Kol'tsov, Zh. Prikl. Khim. 43, 1956 (1970) [J. Appl. Chem. USSR 43, 1976 (1970)].
  946. S. Imai and M. Matsumura, Appl. Surf. Sci. 82/83, 322 (1994).
  947. S. Imai, S. Takagi, O. Sugiura, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 3646 (1991).
  948. S. Imai, T. Iizuka, O. Sugiura, and M. Matsumura, Thin Solid Films 225, 168 (1993).
  949. S. J. Park, J. S. Ha, J. R. Ro, J. K. Sim, E. H. Lee, and C. Jeon, J. Vac. Sci. Technol., B 12, 1623 (1994).
  950. S. J. Yun, J. S. Kang, M. C. Paek, and K. S. Nam, J. Korean Phys. Soc. 33, S170 (1998).
  951. S. J. Yun, J. W. Lim, and J.-H. Lee, Electrochem. Solid State Lett. 7, C13 (2004).
  952. S. J. Yun, K. H. Lee, J. Skarp, H. R. Kim, and K. S. Nam, J. Vac. Sci. Technol., A 15, 2993 (1997).
  953. S. J. Yun, S. Dey, and K. S. Nam, J. Korean Phys. Soc. 33, S454 (1998).
  954. S. Jakschik, U. Schroeder, T. Hecht, D. Krueger, G. Dollinger, A. Bergmaier, C. Luhmann, and J. W. Bartha, Appl. Surf. Sci. 211 , 352 (2003).
  955. S. Jakschik, U. Schroeder, T. Hecht, D. Krueger, G. Dollinger, A. Bergmaier, C. Luhmann, and J. W. Bartha, Mater. Sci. Eng., B 107, 251 (2004).
  956. S. Jakschik, U. Schroeder, T. Hecht, M. Gutsche, H. Seidl, and J. W. Bartha, Thin Solid Films 425, 216 (2003).
  957. S. K. Gordeev and E. P. Smirnov, Zh. Obshch. Khim. 52, 1464 (1982) [J. Gen. Chem. USSR 52, 1294 (1982)].
  958. S. K. Gordeev, E. P. Smirnov, and S. I. Kol'tsov, Zh. Obshch. Khim. 52, 1468 (1982) [J. Gen. Chem. USSR 52, 1298 (1982)].
  959. S. K. Kim and C. S. Hwang, J. Appl. Phys. 96, 2323 (2004).
  960. S. K. Kim, W.-D. Kim, K.-M. Kim, C. S. Hwang, and J. Jeong, Appl. Phys. Lett. 85, 4112 (2004).
  961. S. Kuroda, Y. Terai, K. Takita, T. Okuno, and Y. Masumoto, J. Cryst. Growth 184/185, 274 (1998).
  962. S. Li, Z. L. Dong, B. K. Lim, M. H. Liang, C. Q. Sun, W. Gao, H. S. Park, and T. White, J. Phys. Chem. B 106, 12797 (2002).
  963. S. M. Bedair and N. A. El-Masry, Appl. Surf. Sci. 82/83, 7 (1994).
  964. S. M. Bedair, Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Ser. 195, 17 (1990).
  965. S. M. Bedair, B. T. McDermott, Y. Ide, N. H. Karam, H. Hashemi, M. A. Tischler, M. Timmons, J. C. L. Tarn, and N. Elmasry, J. Cryst. Growth 93, 182 (1988).
  966. S. M. Bedair, J. Vac. Sci. Technol., B 12, 179 (1994).
  967. S. M. Bedair, M. A. Tischler, T. Katsuyama, and N. A. El- Masry, Appl. Phys. Lett. 47, 51 (1985).
  968. S. M. Gates, D. D. Koleske, J. R. Heath, and M. Copel, Appl. Phys. Lett. 62, 510 (1993).
  969. S. M. George, A. W. Ott, and J. W. Klaus, J. Phys. Chem. 100, 13121 (1996).
  970. S. M. George, O. Sneh, A. C. Dillon, M. L. Wise, A. W. Ott, L. A. Okada, and J. D. Way, Appl. Surf. Sci. 82/83, 460 (1994).
  971. S. M. Rossnagel, A. Sherman, and F. Turner, J. Vac. Sci. Tech- nol., B 18, 2016 (2000).
  972. S. Morishita, S. Sugahara, and M. Matsumura, Appl. Surf. Sci. 112 , 198 (1997).
  973. S. Morishita, W. Gasser, K. Usami, and M. Matsumura, J. Non- Cryst. Solids 187, 66 (1995).
  974. S. Morishita, Y. Uchida, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 5738 (1995).
  975. S. Nonobe, N. Takahashi, and T. Nakamura, Solid State Sci. 6, 1217 (2004).
  976. S. P. DenBaars and P. D. Dapkus, J. Cryst. Growth 98, 195 (1989).
  977. S. P. DenBaars, C. A. Beyler, A. Hariz, and P. D. Dapkus, Appl. Phys. Lett. 51, 1530 (1987).
  978. S. P. DenBaars, P. D. Dapkus, C. A. Beyler, A. Hariz, and K. M. Dzurko, J. Cryst. Growth 93, 195 (1988).
  979. S. S. Lee, J. Y. Baik, K.-S. An, Y. D. Suh, J.-H. Oh, and Y. Kim, J. Phys. Chem. B 108, 15128 (2004).
  980. S. Spiering, D. Hariskos, M. Powalla, N. Naghavi, and D. Lin- cot, Thin Solid Films 431/432, 359 (2003).
  981. S. Sugahara, E. Hasunuma, S. Imai, and M. Matsumura, Appl. Surf. Sci. 107, 161 (1996).
  982. S. Sugahara, K. Hosaka, and M. Matsumura, Appl. Surf. Sci. 132 , 327 (1998).
  983. S. Sugahara, M. Kadoshima, T. Kitamura, S. Imai, and M. Mat- sumura, Appl. Surf. Sci. 90, 349 (1995).
  984. S. Sugahara, T. Kitamura, S. Imai, and M. Matsumura, Appl. Surf. Sci. 82/83, 380 (1994).
  985. S. Sugahara, Y. Uchida, T. Kitamura, T. Nagai, M. Matsuyama, T. Hattori, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 1609 (1997).
  986. S. W. Choi, C. M. Jang, D. Y. Kim, J. S. Ha, H. S. Park, W. Koh, and C. S. Lee, J. Korean Phys. Soc. 42, S975 (2003).
  987. S. V. Ushakov, A. Navrotsky, Y. Yang, S. Stemmer, K. Kukli, M. Ritala, M. A. Leskelä, P. Fejes, A. Demkov, C. Wang, et al., Phys. Status Solidi B 241, 2268 (2004).
  988. S. Yamaga and A. Yoshikawa, J. Cryst. Growth 117, 152 (1992).
  989. S. Yokoyama, H. Goto, T. Miyamoto, N. Ikeda, and J. Shiba- hara, Appl. Surf. Sci. 112, 75 (1997).
  990. S. Yokoyama, K. Ohba, and A. Nakajima, Appl. Phys. Lett. 79, 617 (2001).
  991. S. Yokoyama, M. Shinohara, and N. Inoue, Appl. Phys. Lett. 59 , 2148 (1991).
  992. S. Yokoyama, M. Shinohara, and N. Inoue, Appl. Phys. Lett. 60 , 377 (1992).
  993. S. Yokoyama, M. Shinohara, and N. Inoue, J. Cryst. Growth 115 , 89 (1991).
  994. S. Yokoyama, N. Ikeda, K. Kajikawa, and Y. Nakashima, Appl. Surf. Sci. 130-132, 352 (1998).
  995. S.-C. Huang, H.-Y. Wang, C.-J. Hsu, J.-R. Gong, C.-I. Chiang, S.-L. Tu, and H. Chang, J. Mater. Sci. Lett. 17, 1281 (1998).
  996. S.-H. K. Park and Y. E. Lee, J. Mater. Sci. 39, 2195 (2004).
  997. S.-H. K. Park, J. Oh, C.-S. Hwang, J.-I. Lee, Y. S. Yang, and H. Y. Chu, Electrochem. Solid-State Lett. 8, H21 (2005).
  998. S.-W. Kang, S.-W. Rhee, and S. M. George, J. Vac. Sci. Tech- nol., A 22, 2392 (2004).
  999. S.-Y. Lee, H. Kim, P. C. McIntyre, K. C. Saraswat, and J.-S. Byun, Appl. Phys. Lett. 82, 2874 (2003).
  1000. T. A. Pakkanen, V. Nevalainen, M. Lindblad, and P. Makkonen, Surf. Sci. 188, 456 (1987).
  1001. T. Aaltonen, A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskelä, Electrochem. Solid State Lett. 6, C130 (2003).
  1002. T. Aaltonen, M. Ritala, K. Arstila, J. Keinonen, and M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 10, 215 (2004).
  1003. T. Aaltonen, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskelä, Chem. Mater. 15, 1924 (2003).
  1004. T. Aaltonen, M. Ritala, V. Sammelselg, and M. Leskelä, J. Elec- trochem. Soc. 151, G489 (2004).
  1005. T. Aaltonen, M. Ritala, Y. L. Tung, Y. Chi, K. Arstila, K. Meinander, and M. Leskelä, J. Mater. Res. 19, 3353 (2004).
  1006. T. Aaltonen, P. Alen, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 9, 45 (2003).
  1007. T. Asikainen, M. Ritala, and M. Leskelä, Appl. Surf. Sci. 82/83, 122 (1994).
  1008. T. Asikainen, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 141 , 3210 (1994).
  1009. T. Asikainen, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 142 , 3538 (1995).
  1010. T. Asikainen, M. Ritala, M. Leskelä, T. Prohaska, G. Fried- bacher, and M. Grasserbauer, Appl. Surf. Sci. 99, 91 (1996).
  1011. T. Asikainen, M. Ritala, W.-M. Li, R. Lappalainen, and M. Leskelä, Appl. Surf. Sci. 112, 231 (1997).
  1012. T. Fuyuki, M. Nakayama, T. Yoshinobu, H. Shiomi, and H. Mat- sunami, J. Cryst. Growth 95, 461 (1989).
  1013. T. Fuyuki, T. Yoshinobu, and H. Matsunami, Thin Solid Films 125 , 225 (1993).
  1014. T. H. Chiu, Appl. Phys. Lett. 55, 1244 (1989).
  1015. T. H. Chiu, J. E. Cunningham, A. Robertson, Jr., and D. L. Malm, J. Cryst. Growth 105, 155 (1990).
  1016. T. Hatanpää, J. Ihanus, J. Kansikas, I. Mutikainen, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Mater. 11, 1846 (1999).
  1017. T. Hänninen, I. Mutikainen, V. Saanila, M. Ritala, M. Leskelä, and J. C. Hanson, Chem. Mater. 9, 1234 (1997).
  1018. T. I. Hukka, R. E. Rawles, and M. P. D'Evelyn, Thin Solid Films 225 , 212 (1993).
  1019. T. I. Hukka, T. A. Pakkanen, and M. P. D'Evelyn, Surf. Sci. 359, 213 (1996).
  1020. T. Inushima, T. Shiraishi, and V. Yu. Davydov, Solid State Com- mun. 110, 491 (1989).
  1021. T. Kawahara and K. Torii, IEICE Trans. Electron. E87-C, 2 (2004).
  1022. T. Kawahara, K. Torii, R. Mitsuhashi, A. Muto, A. Horiuchi, H. Ito, and H. Kitajima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 4129 (2004).
  1023. T. Kurabayashi, K. Kono, H. Kikuchi, J. Nishizawa, and M. Esashi, J. Cryst. Growth 229, 152 (2001).
  1024. T. Lee, H.-K. Ko, Y. Kim, J. Ahn, Y. B. Kim, K. S. Kim, and D. K. Choi, J. Korean Phys. Soc. 45, 1308 (2004).
  1025. T. Lee, J. Ahn, J. Oh, Y. Kim, Y. B. Kim, D. K. Choi, and J. Jung, J. Korean Phys. Soc. 42, 272 (2003).
  1026. T. M. Mayer, J. W. Elam, S. M. George, P. G. Kotula, and R. S. Goeke, Appl. Phys. Lett. 82, 2883 (2003).
  1027. T. M. Mayer, J. W. Rogers, Jr., and T. A. Michalske, Chem. Mater. 3, 641 (1991).
  1028. T. Meguro, S. Iwai, Y. Aoyagi, K. Ozaki, Y. Yamamoto, T. Suzuki, Y. Okano, and A. Hirata, J. Cryst. Growth 99, 540 (1990).
  1029. T. Meguro, T. Suzuki, K. Ozaki, Y. Okano, A. Hirata, Y. Ya- mamoto, S. Iwai, Y. Aoyagi, and S. Namba, J. Cryst. Growth 93 , 190 (1988).
  1030. T. Ohno, Y. Oyama, K. Saito, K. Suto, and J. Nishizawa, Thin Solid Films 464/465, 123 (2004).
  1031. T. Pakkanen, in Atomic layer epitaxy, edited by T. Suntola and M. Simpson (Blackie and Son, London, 1990), pp. 40­62.
  1032. T. S. Suntola, A. J. Pakkala, and S. G. Lindfors, patent US 4 389 973, 28 June 1983, Oy Lohja Ab.
  1033. T. S. Suntola, A. J. Pakkala, and S. G. Lindfors, patent US 4 413 022, 1 November 1983, Canon Kabushiki Kaisha.
  1034. T. Seidel, A. Londergan, J. Winkler, X. Liu, and S. Ramanathan, Solid State Tech. 46, 67 (2003).
  1035. T. Suntola and J. Antson, patent FIN 52 359, 10 September 1977 (filed 29 November 1974), Instrumentarium Oy.
  1036. T. Suntola and J. Antson, patent US 4 058 430, 15 November 1977.
  1037. T. Suntola and J. Hyvärinen, Annu. Rev. Mater. Sci. 15, 177 (1985).
  1038. T. Suntola, Acta Polytech. Scand., Electr. Eng. Ser. 64, 242 (1989).
  1039. T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 100/101, 391 (1996).
  1040. T. Suntola, AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposi- tion "ALD 2004," Helsinki, Finland, August 16­18, 2004 (oral presentation).
  1041. T. Suntola, in Handbook of Crystal Growth, edited by D. T. J. Hurle (Elsevier, Amsterdam, 1994), vol. 3, pp. 601­663.
  1042. T. Suntola, in Handbook of Thin Film Process Technology, edited by D. A. Glocker and S. I. Shah (IOP Publishing, Bristol, United Kingdom, 1995), vol. 1, pp. B1.5:1­B1.5:17.
  1043. T. Suntola, J. Antson, A. Pakkala, and S. Lindfors, in SID Inter- national Symposium in San Diego, California, 29 April-1 May 1980, Digest of Technical Papers (SID, Los Angeles, Califor- nia, 1980), pp. 108­109.
  1044. T. Suntola, Mater. Sci. Reports 4, 261 (1989).
  1045. T. Suntola, Thin Solid Films 216, 84 (1992).
  1046. T. Suntola, Thin Solid Films 225, 96 (1993).
  1047. T. Tadokoro, S. Ohta, T. Ishiguro, Y. Ichinose, S. Kobayashi, and N. Yamamoto, J. Cryst. Growth 130, 29 (1993).
  1048. T. Tadokoro, S. Ohta, T. Ishiguro, Y. Ichinose, S. Kobayashi, and N. Yamamoto, J. Cryst. Growth 148, 223 (1995).
  1049. T. Takeda, T. Kurosu, M. Lida, and T. Yao, Surf. Sci. 174, 548 (1996).
  1050. T. Takeuchi, I. Doteshita, and S. Asami, Surf. Interface Anal. 36 , 1133 (2004).
  1051. T. Takeuchi, K. Shoji, T. Tadano, I. Doteshita, and S. Onodera, Thin Solid Films 442, 98 (2003).
  1052. T. Taki and A. Koukitu, Appl. Surf. Sci. 112, 127 (1997).
  1053. T. Taliercio, P. Lefebvre, N. Magnea, J. Allègre, and H. Math- ieu, J. Cryst. Growth 184/185, 288 (1998).
  1054. T. Tanaka, T. Nakajima, and K. Yamashita, Thin Solid Films 409 , 51 (2002).
  1055. T. Törndahl, M. Ottosson, and J.-O. Carlsson, Thin Solid Films 458 , 129 (2004).
  1056. T. W. Lee, H. Hwang, Y. Moon, E. Yoon, and Y. D. Kim, J. Korean Phys. Soc. 34, S25 (1999).
  1057. T. W. Scharf, S. V. Prasad, T. M. Mayer, R. S. Goeke, and M. T. Dugger, J. Mater. Res. 19, 3443 (2004).
  1058. T. Volkmann, M. Ahr, and M. Biehl, Phys. Rev. B 69, 165303 (2004).
  1059. T. Yao and T. Takeda, Appl. Phys. Lett. 48, 160 (1986).
  1060. T. Yao, in Atomic layer epitaxy, edited by T. Suntola and M. Simpson (Blackie and Son, London, 1990), pp. 155­180.
  1061. T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L544 (1986).
  1062. T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L942 (1986).
  1063. T. Yao, T. Takeda, and R. Watanuki, Appl. Phys. Lett. 48, 1615 (1986).
  1064. T.-P. Lee, C. Jang, B. Haselden, M. Dong, S. Park, L. Bartholomew, H. Chatham, and Y. Senzaki, J. Vac. Sci. Tech- nol., B 22, 2295 (2004).
  1065. V. A. Tolmachev and M. A. Okatov, Opt. Mekh. Promst. 50, 38 (1983) [Sov. J. Opt. Techol. 50, 706 (1983)].
  1066. V. A. Tolmachev, M. A. Okatov, and V. V. Pal'chevskii, Opt. Mekh. Promst. 51, 57 (1984) [Sov. J. Opt. Technol. 51, 368 (1984)].
  1067. V. A. Tolmachev, Zh. Prikl. Khim. 55, 1410 (1982) [J. Appl. Chem. USSR 55, 1298 (1982)].
  1068. V. B. Aleskovskii and V. E. Drozd, Acta Polytech. Scand., Chem. Technol. Ser. 195, 155 (1990).
  1069. V. B. Aleskovskii, V. E. Drozd, V. F. Kiselev, S. N. Kozlov, S. I. Kol'tsov, A. S. Petrov, and G. S. Plotnikov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 13, 1397 (1979) [Sov. Phys. Semicond. 13, 817 (1979)].
  1070. V. B. Aleskovskii, Yu. M. Artem'ev, and S. F. Gerasimov, Zh. Prikl. Khim. 67, 212 (1994) [Russ. J. Appl. Chem. 67, 192 (1994)].
  1071. V. B. Aleskovskii, Zh. Prikl. Khim. 47, 2145 (1974) [J. Appl. Chem. USSR 47, 2207 (1974)].
  1072. V. B. Kopylov, M. N. Tsvetkova, V. N. Pak, A. A. Malygin, and S. I. Kol'tsov, Zh. Prikl. Khim. 54, 293 (1981) [J. Appl. Chem. USSR 54, 186 (1981)].
  1073. V. B. Veron, A. Arnoult, B. Daudin, and S. Tatarenko, Phys. Rev. B 54, R5267 (1996).
  1074. V. Balek, J. Fusek, O. Kríz, M. Leskelä, L. Niinistö, E. Nykänen, J. Rautanen, and P. Soininen, J. Mater. Res. 9, 119 (1994).
  1075. W. Cho, K. Sung, K. S. An, S. S. Lee, T. M. Chung, and Y. Kim, J. Vac. Sci. Technol., A 21, 1366 (2003).
  1076. V. E. Drozd and V. B. Aleskovskii, Appl. Surf. Sci. 82/83, 591 (1994).
  1077. V. E. Drozd, A. A. Tulub, V. B. Aleskovskii, and D. V. Ko- rol'kov, Appl. Surf. Sci. 82/83, 587 (1994).
  1078. V. E. Drozd, A. P. Baraban, and I. O. Nikiforova, Appl. Surf. Sci. 82/83, 583 (1994).
  1079. V. E. Drozd, N. N. Kopilov, and V. B. Aleskovski, Appl. Surf. Sci. 112, 258 (1997).
  1080. W. F. A. Besling, E. Young, T. Conard, C. Zhao, R. Carter, W. Vandervorst, M. Caymax, S. De Gendt, M. Heyns, J. Maes, et al., J. Non-Cryst. Solids 303, 123 (2002).
  1081. W. F. Besling, M.-L. Ignacimouttou, A. Humbert, M. Mellier, and J. Torres, Microelectron. Eng. 76, 60 (2004).
  1082. V. F. Dergachev, A. A. Malygin, and S. I. Kol'tsov, Zh. Prikl. Khim. 54, 1972 (1981) [J. Appl. Chem. USSR 54, 1722 (1981)].
  1083. W. Faschinger and H. Sitter, J. Cryst. Growth 99, 566 (1990).
  1084. W. Faschinger, F. Hauzenberger, P. Juza, A. Pesek, and H. Sitter, J. Electron. Mater. 22, 497 (1993).
  1085. W. Faschinger, H. Sitter, and P. Juza, Appl. Phys. Lett. 53, 2519 (1988).
  1086. W. Faschinger, P. Juza, and H. Sitter, J. Cryst. Growth 115, 692 (1991).
  1087. W. Faschinger, P. Juza, S. Ferreira, H. Zajicek, A. Pesek, H. Sit- ter, and K. Lischka, Thin Solid Films 225, 270 (1993).
  1088. W. Faschinger, Phys. Scr. T49, 492 (1993).
  1089. W. G. Jeong, E. P. Menu, and P. D. Dapkus, Appl. Phys. Lett. 55 , 244 (1989).
  1090. V. G. Milt, E. A. Lombardo, and M. A. Ulla, Appl. Catal., B 37, 63 (2002).
  1091. V. G. Milt, M. A. Ulla, and E. A. Lombardo, Catal. Lett. 65, 67 (2000).
  1092. V. G. Milt, M. A. Ulla, and E. A. Lombardo, J. Catal. 200, 241 (2001).
  1093. W. Gasser, Y. Uchida, and M. Matsumura, Thin Solid Films 250 , 213 (1994).
  1094. W. Gu and C. P. Tripp, Langmuir 21, 211 (2005).
  1095. W. Hanke, K. Heise, H.-G. Jerschkewitz, G. Lischke, G. Öhlmann, and B. Parlitz, Z. Anorg. Allg. Chem. 438, 176 (1978).
  1096. W. Hanke, R. Bienert, and H.-G. Jerschkewitz, Z. Anorg. Allg. Chem. 414, 109 (1975).
  1097. W. He, S. Schuetz, R. Solanki, J. Belot, and J. McAndrew, Elec- trochem. Solid-State Lett. 7, G131 (2004).
  1098. W. J. Lee, J. H. Lee, C. O. Park, Y. S. Lee, S. J. Shin, and S. K. Rha, J. Korean Phys. Soc. 45, 1352 (2004).
  1099. W. K. Chen, J. C. Chen, L. Anthony, and P. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 55, 987 (1989).
  1100. W. K. Kim, S. W. Kang, and S. W. Rhee, J. Vac. Sci. Technol., A 21, L16 (2003).
  1101. W. K. Kim, S. W. Kang, S. W. Rhee, N. I. Lee, J. H. Lee, and H. K. Kang, J. Vac. Sci. Technol., A 20, 2096 (2002).
  1102. V. Lujala, J. Skarp, M. Tammenmaa, and T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 82/83, 34 (1994).
  1103. V. M. Gun'ko, Kinet. Katal. 34, 463 (1993) [Kinet. Katal. 34, 406 (1993)].
  1104. V. M. Gunko, R. Leboda, M. Marciniak, W. Grzegorczyk, J. Skubiszewska-Zieba, A. A. Malygin, and A. A. Malkov, Langmuir 16, 3227 (2000).
  1105. V. M. Smirnov, A. A. Malkov, and R. R. Rachovskii, Zh. Prikl. Khim. 65, 2666 (1992) [J. Appl. Chem. USSR 65, 2213 (1992)].
  1106. V. N. Pak, I. Yu. Tikhomirova, T. M. Burkat, and B. I. Lobov, Zh. Fiz. Khim. 73, 2024 (1999) [Russ. J. Phys. Chem. 73, 1824 (1999)].
  1107. V. N. Pak, Yu. P. Kostikov, S. I. Kol'tsov, and V. B. Aleskovskii, Kinet. Katal. 15, 1358 (1974) [Kinet. Catal. 15, 1205 (1974)].
  1108. V. N. Pak, Zh. Fiz. Khim. 50, 1266 (1976) [Russ. J. Phys. Chem. 50 , 758 (1976)].
  1109. V. P. Dorofeev, A. A. Malygin, and S. I. Kol'tsov, Zh. Prikl. Khim. 77, 1077 (2004) [J. Appl. Chem. USSR 77, 1061 (2004)].
  1110. V. Pore, A. Rahtu, M. Leskelä, M. Ritala, T. Sajavaara, and J. Keinonen, Chem. Vap. Deposition 10, 143 (2004).
  1111. W. S. Rees, D. M. Green, T. J. Anderson, E. Bretschneider, B. Pathangey, C. Park, and J. Kim, J. Electron. Mater. 21, 361 (1992).
  1112. V. Saanila, J. Ihanus, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 4, 227 (1998).
  1113. V. Sammelselg, A. Rosental, A. Tarre, L. Niinistö, K. Heiska- nen, K. Ilmonen, L.-S. Johansson, and T. Uustare, Appl. Surf. Sci. 134, 78 (1998).
  1114. V. Sammelselg, J. Aarik, A. Aidla, A. Kasikov, E. Heikinheimo, M. Peussa, and L. Niinistö, J. Anal. At. Spectrom. 14, 523 (1999).
  1115. V. V. Brei, V. A. Kasperskii, and A. A. Chuiko, Zh. Prikl. Khim. 69 , 378 (1996) [Russ. J. Appl. Chem. 69, 335 (1996)].
  1116. V. V. Brei, V. A. Kasperskii, and N. E. Gulyanitskaya, React. Kinet. Catal. Lett. 50, 415 (1993).
  1117. V. V. Brodskii, E. A. Rykova, A. A. Bagatur'yants, and A. A. Korkin, Comput. Mater. Sci. 24, 278 (2002).
  1118. W.-H. Nam and S.-W. Rhee, Chem. Vap. Deposition 10, 201 (2004).
  1119. W.-H. Nam and S.-W. Rhee, Electrochem. Solid-State Lett. 7, C55 (2004).
  1120. W.-K. Kim, S.-W. Rhee, N.-I. Lee, J.-H. Lee, and H.-K. Kang, J. Vac. Sci. Technol., A 22, 1285 (2004).
  1121. W.-S. Jeon, S. Yang, C.-S. Lee, and S.-W. Kang, J. Electrochem. Soc. 149, C306 (2002).
  1122. W.-S. Wang, H. E. Ehsani, and I. B. Bhat, J. Cryst. Growth 124, 670 (1992).
  1123. W.-S. Wang, H. Ehsani, and I. Bhat, J. Electron. Mater. 22, 873 (1993).
  1124. X. D. Wang, E. Graugnard, J. S. King, Z. L. Wang, and C. J. Summers, Nano Lett. 4, 2223 (2004).
  1125. Y. Aoyagi, A. Doi, S. Iwai, and S. Namba, J. Vac. Sci. Technol., B 5, 1460 (1987).
  1126. Y. Aoyagi, T. Meguro, S. Iwai, and A. Doi, Mater. Sci. Eng., B 10 , 121 (1991).
  1127. Y. D. Kim, M. S. Lee, T.-W. Lee, H. Hwang, S. Yoon, Y. Moon, and E. Yoon, Microelectron. Eng. 51/52, 43 (2000).
  1128. Y. G. Kim, Y. S. Joh, J. H. Song, K. S. Baek, S. K. Chang, and E. D. Sim, Appl. Phys. Lett. 83, 2656 (2003).
  1129. Y. Horikoshi, M. Kawashima, and H. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L868 (1986).
  1130. Y. Ide, B. T. McDermott, M. Hashemi, S. M. Bedair, and W. D. Goodhue, Appl. Phys. Lett. 53, 2314 (1988).
  1131. Y. J. Lee and S.-W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett. 5, C91 (2002).
  1132. Y. J. Lee and S.-W. Kang, J. Vac. Sci. Technol., A 20, 1983 (2002).
  1133. Y. J. Lee and S.-W. Kang, Thin Solid Films 446, 227 (2004).
  1134. Y. J. Lee, J. Cryst. Growth 266, 568 (2004).
  1135. Y. J. Widjaja, H. Han, and C. B. Musgrave, J. Phys. Chem. B 107 , 9319 (2003).
  1136. Y. Jin, R. Kobayashi, K. Fujii, and F. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 29, L1350 (1990).
  1137. Y. Kawakyu, H. Ishikawa, M. Sasaki, and M. Mashita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L1439 (1989).
  1138. Y. Kim, J. Koo, J. Han, S. Choi, H. Jeon, and C.-G. Park, J. Appl. Phys. 92, 5443 (2002).
  1139. Y. Kim, S. M. Lee, C. S. Park, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 71, 3604 (1997).
  1140. Y. Kobayashi and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L71 (1992).
  1141. Y. Kumagai, M. Mayumi, A. Koukitu, and H. Seki, Appl. Surf. Sci. 159/160, 427 (2000).
  1142. Y. Luo, D. Slater, M. Han, J. Moryl, and R. M. Osgood, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 3799 (1997).
  1143. Y. Luo, D. Slater, M. Han, J. Moryl, and R. M. Osgood, Jr., Langmuir 14, 1493 (1998).
  1144. Y. Luo, M. Han, D. A. Slater, and R. M. Osgood, Jr., J. Vac. Sci. Technol., A 18, 438 (2000).
  1145. Y. Mochizuki, T. Takada, and A. Usui, Appl. Surf. Sci. 82-83, 200 (1994).
  1146. Y. Mochizuki, T. Takada, and A. Usui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L197 (1993).
  1147. Y. Mochizuki, T. Takada, and A. Usui, Phys. Rev. B 47, 13420 (1993).
  1148. Y. Ohtake, K. Kushiya, M. Ichikawa, A. Yamada, and M. Kon- agai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 5949 (1995).
  1149. Y. Okamoto, J. Phys. Chem. B 103, 11074 (1999).
  1150. Y. Oyama, K. Tezuka, K. Suto, and J.-I. Nishizawa, J. Cryst. Growth 246, 15 (2002).
  1151. Y. S. Kim and S. J. Yun, Appl. Surf. Sci. 229, 105 (2004).
  1152. Y. S. Kim, J. S. Kang, S. J. Yun, and K. I. Cho, J. Korean Phys. Soc. 35, S216 (1999).
  1153. Y. S. Kim, S. H. K. Park, S. J. Yun, and J. S. Kang, J. Korean Phys. Soc. 37, 975 (2000).
  1154. Y. Sakuma, M. Ozeki, N. Ohtsuka, and K. Kodama, J. Appl. Phys. 68, 5660 (1990).
  1155. Y. Satoh, K. Ikeda, S. Sugahara, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 5732 (2000).
  1156. Y. Senzaki, S. Park, H. Chatham, L. Bartholomew, and W. Nieveen, J. Vac. Sci. Technol., A 22, 1175 (2004).
  1157. Y. Suda, D. Lubben, T. Motooka, and J. Greene, J. Vac. Sci. Technol., B 7, 1171 (1989).
  1158. Y. Suda, M. Ishida, M. Yamashita, and H. Ikeda, Appl. Surf. Sci. 82/83, 332 (1994).
  1159. Y. Suda, N. Hosoya, and D. Shiratori, J. Cryst. Growth 237, 1404 (2002).
  1160. Y. Suda, N. Hosoya, and K. Miki, Appl. Surf. Sci. 216, 424 (2003).
  1161. Y. Suda, Y. Misato, and D. Shiratori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38 , 2390 (1999).
  1162. Y. Takahashi and T. Urisu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L209 (1991).
  1163. Y. Takahashi, H. Ishii, and K. Fujinaga, J. Electrochem. Soc. 136 , 1826 (1989).
  1164. Y. Takahashi, M. Yagi, A. Koukitu, and H. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L1277 (1993).
  1165. Y. Takahashi, Y. Sese, and T. Urisu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 28 , 2387 (1989).
  1166. Y. Takemura, H. Nakanishi, M. Konagai, and K. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L246 (1991).
  1167. Y. Takemura, M. Konagai, H. Nakanishi, and K. Takahashi, J. Cryst. Growth 117, 144 (1992).
  1168. Y. Takemura, M. Konagai, K. Yamasaki, C. H. Lee, and K. Takahashi, J. Electron. Mater. 22, 437 (1993).
  1169. Y. Widjaja and C. B. Musgrave, Appl. Phys. Lett. 80, 3304 (2002).
  1170. Y. Widjaja and C. B. Musgrave, Appl. Phys. Lett. 81, 304 (2002).
  1171. Y. Widjaja and C. B. Musgrave, J. Chem. Phys. 117, 1931 (2002).
  1172. Y. Xu and C. B. Musgrave, Chem. Mater. 16, 646 (2004).
  1173. Y. Y. Wu, A. Kohn, and M. Eizenberg, J. Appl. Phys. 95, 6167 (2004).
  1174. Y. Yamamoto, K. Saito, K. Takahashi, and M. Konagai, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65, 125 (2001).
  1175. Y. Z. Feng and S. P. Guo, J. Mater. Sci. Lett. 15, 1824 (1996).
  1176. Y.-H. Lee, J.-C. Kwak, B.-S. Gang, H.-C. Kim, B.-H. Choi, B.- K. Jeong, S.-H. Park, and K.-H. Lee, J. Electrochem. Soc. 151, C52 (2004).
  1177. Y.-H. Wu, T. Toyoda, Y. Kawakami, S. Fujita, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L727 (1990).
  1178. Y.-S. Min, E. J. Bae, K. S. Jeong, Y. J. Cho, J.-H. Lee, W. B. Choi, and G.-S. Park, Adv. Mater. 15, 1019 (2003).
  1179. Y.-S. Min, Y. J. Cho, and C. S. Hwang, Chem. Mater. 17, 626 (2005).
  1180. Yu. K. Ezhovskii and A. I. Klusevich, Neorg. Mater. 39, 1230 (2003) [Inorg. Mater. 39, 1062 (2003)].
  1181. Yu. K. Ezhovskii and A. I. Klyuikov, Zr. Prikl. Khim. 73, 881 (2000) [Russ. J. Appl. Chem. 73, 933 (2000)].
  1182. Yu. K. Ezhovskii and D. P. Mikhaevich, Neorg. Mater. 40, 1043 (2004) [Inorg. Mater. 40, 909 (2004)].
  1183. Yu. K. Ezhovskii and P. M. Vainshtein, Zh. Fiz. Khim. 71, 2222 (1997) [Russ. J. Phys. Chem. 71, 2009 (1997)].